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基于M-Power500的無(wú)線(xiàn)語(yǔ)音傳輸系統設計與實(shí)現

- 摘要:無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)發(fā)展到今天,通信產(chǎn)品已經(jīng)可以承栽包括語(yǔ)音在內如數據、圖像、動(dòng)畫(huà)以及多媒體等的其他業(yè)務(wù),但語(yǔ)音通信仍然是最基本、最主要的通信方式。本文以MSP430F149單片機為控制核心,射頻模塊選用工作在2.
- 關(guān)鍵字: 設計 實(shí)現 傳輸系統 語(yǔ)音 M-Power500 無(wú)線(xiàn) 基于
NEC推出4款支持智能電表的8位微控制器及解決方案

- NEC電子近日完成了4款用于家用多功能智能電表的8位微控制器的開(kāi)發(fā),并將從即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。 該4款新產(chǎn)品中,“78K0/LE3-M”的兩款產(chǎn)品主要面向中國等國家常用的單相2線(xiàn)式電表,外部引腳為64根;另外兩款“78K0/LG3-M” 產(chǎn)品主要面向日本、北美等國家常用的單相3線(xiàn)式電表,外部引腳為100根。樣品價(jià)格因內置的存儲器的容量的不同而有所差異,其中集成了60KB閃存、2KBRAM的“μPD78F8055”的單個(gè)
- 關(guān)鍵字: NEC 微控制器 78K0/LE3-M
三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司
- 據國外媒體報道,美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴,稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利,要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱(chēng),涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本,并提高存儲密度。 申訴材料指出,包括手機、攝像機、筆記本和
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存芯片 MLC
NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機構iSuppli指出,NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現象,大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預期。 iSuppli專(zhuān)研行動(dòng)和新興內存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價(jià)格上漲,對閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因為SSD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價(jià)格上漲,SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷(xiāo)量就會(huì )減緩。 多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存,其平均價(jià)格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 MLC
瑞杰凱發(fā)布多種工業(yè)I/O模塊

- 隨著(zhù)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨,企業(yè)的低成本運作成為企業(yè)的核心競爭力之一。瑞杰凱作為工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)領(lǐng)域的一員,一直關(guān)注自動(dòng)化的應用問(wèn)題。為了推動(dòng)工業(yè)自動(dòng)化的發(fā)展,通過(guò)對基礎能源設施和新型產(chǎn)業(yè)等相關(guān)領(lǐng)域工業(yè)現場(chǎng)的深入了解和研究,結合我們原有的自動(dòng)化產(chǎn)品,可以為最終客戶(hù)提供各種監控和管理方案 。 北京瑞杰凱自動(dòng)化技術(shù)有限公司的RS232/M-BUS轉換模塊、模擬量輸入模塊和熱電偶輸入模塊等多種工業(yè)I/O模塊,通過(guò)廣大客戶(hù)多年的現場(chǎng)檢驗,質(zhì)量穩定、可靠,應用領(lǐng)域越來(lái)越廣,應客戶(hù)要求,我們會(huì )不斷努力,推出更多實(shí)用
- 關(guān)鍵字: 瑞杰凱 熱電偶 RS232/M-BUS I/O模塊
Intel兩周內發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 近來(lái)謠言越來(lái)越厲,市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤(pán)。之前有報道稱(chēng)英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤(pán)出現的時(shí)間不久,其成本高,容量有限,有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出,固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將大大降低,容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤(pán)的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
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