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igbt fs7 文章 進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動(dòng)
IGBT模塊是如何失效的？
- IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導線(xiàn)實(shí)現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì )并有續流二極管，接著(zhù)在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結構IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導線(xiàn)實(shí)現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì )并有續流二極管，接著(zhù)在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（
- 關(guān)鍵字： IGBT
相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？
- 隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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Power Integrations推出具有溫度讀數功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門(mén)極驅動(dòng)器
- 德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門(mén)極驅動(dòng)器。新款門(mén)極驅動(dòng)器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以?xún)鹊奶蓟?SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動(dòng)器可提供負溫度系數
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT SiC模塊 門(mén)極驅動(dòng)器
快速開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP 5 IGBT
- 緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標?，F在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類(lèi)應用的工程師還有一個(gè)目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性?xún)r(jià)比的開(kāi)關(guān)器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標?，F在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類(lèi)應用的工程師還有一個(gè)目標：保持高功率因數(PF)
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功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
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“一芯難求”？IGBT 憑啥這么搶手？
- 今天要聊的這個(gè)或許不僅是“供不應求”，在媒體報道中更被稱(chēng)為是“一芯難求”！用報道的話(huà)來(lái)說(shuō)，“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買(mǎi)不到”。TA就是簡(jiǎn)稱(chēng)為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽(tīng)到“一芯難求”，聰明的你應該就能get到其中的投資機會(huì )，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機呢？01 什么是IGBT？作為新能源領(lǐng)域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，可以簡(jiǎn)單理解為一種功率開(kāi)關(guān)元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動(dòng)到身體的各個(gè)器官，為身體補充充足的血液和
- 關(guān)鍵字： IGBT
設備廠(chǎng)商訂單量大增；4個(gè)IGBT項目開(kāi)工
- 2022年，盡管全球半導體產(chǎn)業(yè)局勢復雜，但中國本土半導體似乎依然保持著(zhù)朝陽(yáng)勢頭，發(fā)展火熱。尤其是半導體設備廠(chǎng)商，在國產(chǎn)化浪潮進(jìn)一步驅動(dòng)下，去年大部分國產(chǎn)設備廠(chǎng)商在營(yíng)收及訂單方面表現出了強勁的增長(cháng)態(tài)勢。2023年以來(lái)，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報告。其中，2022年度，至純科技實(shí)現營(yíng)業(yè)收入30.5億元，同比增長(cháng)46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長(cháng)30.62%；；中微公司實(shí)現營(yíng)收47.4億元，同比增長(cháng)52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實(shí)現
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高電壓技術(shù)是構建更可持續未來(lái)的關(guān)鍵
- 隨著(zhù)世界各地的電力消耗持續增長(cháng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新讓設計工程師能夠開(kāi)發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著(zhù)人均用電量的持續增長(cháng)，可持續能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng )新是實(shí)現能源可持續的關(guān)鍵?！?隨著(zhù)電力需求的增加（在 2 秒內將電動(dòng)汽車(chē) (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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車(chē)用/工用等IGBT供不應求，缺貨問(wèn)題至少在2024年中前難以解決？
- 隨著(zhù)車(chē)用、工業(yè)應用所需用量大增，IGBT市場(chǎng)陷入供不應求，此前有消息指出，部分廠(chǎng)商IGBT產(chǎn)線(xiàn)代工價(jià)上漲10%。而根據行業(yè)媒體的最新消息，IGBT缺貨問(wèn)題至少在2024年中前難以解決。導致IGBT缺貨、漲價(jià)的原因主要有四點(diǎn)：其一，需求旺盛，車(chē)用、工業(yè)應用所需IGBT用量大增；其二，供給不足，產(chǎn)能擴增緩慢；其三，客戶(hù)認證需要時(shí)間；其四，特斯拉大砍75%碳化硅用量，IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導體技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開(kāi)關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為電力電子裝置的“C
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SiC功率半導體市場(chǎng)分析；廠(chǎng)商談IGBT大缺貨
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場(chǎng)分析報告-Part1》分析，隨著(zhù)Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模預估2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規模達82
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安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺,性能領(lǐng)先,應用工業(yè)市場(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT FS7
廠(chǎng)商談IGBT大缺貨：根本買(mǎi)不到！
- 當下半導體周期下行，半導體產(chǎn)業(yè)鏈多細分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動(dòng)車(chē)與太陽(yáng)能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價(jià)格連漲，業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問(wèn)題，而是根本買(mǎi)不到”來(lái)形容缺貨盛況。01IGBT供不應求，代工價(jià)格喊漲自2020年汽車(chē)缺芯以來(lái)，汽車(chē)芯片結構性缺芯愈發(fā)明顯，IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年，其甚至超越車(chē)用MCU，成為影響汽車(chē)擴產(chǎn)的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示，漢磊集團于年初調漲IGBT產(chǎn)線(xiàn)代工價(jià)一成左右。據悉，漢
- 關(guān)鍵字： IGBT 缺貨
安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺，性能領(lǐng)先，應用工業(yè)市場(chǎng)
- 2023 年 3 月 21日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗
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