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恩智浦為USB 3.0和eSATA推出ESD保護設備
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)日前宣布，為USB 3.0和eSATA之類(lèi)的高速差分接口推出一種新的ESD保護設備IP4284CZ10。IP4284CZ10提供了業(yè)內最低的差分串擾及完美的線(xiàn)路到線(xiàn)路電容匹配和直通布線(xiàn)能力，優(yōu)化了信號完整性。IP4284CZ10提供了8kV的接觸放電ESD保護能力，符合IEC61000-4-2標準第四級。 USB 3.0和eSATA同時(shí)傳送和接收信號，對ESD設備提出了嚴格的信號完整性要求，這些要求在以前的USB 2.0, HDMI和Displ
- 關(guān)鍵字： NXP USB3.0 eSATA ESD IP4284CZ10
USB 3.0電路保護方案
- 無(wú)處不在的通用串行總線(xiàn)(USB)接口即將迎接又一次換代，以便緊跟連接帶寬需求不斷增長(cháng)的步伐。USB3.0或所謂“超高速USB”預計將在傳輸速度、電源管理和靈活性方面向前跨越一大步。USB 3.0的開(kāi)發(fā)方向包括提供更高的傳輸率、提高最大總線(xiàn)功率和設備電流、提供全新的電源管理功能以及向下兼容USB2.0的新型電纜和連接器。而最顯著(zhù)的變化是新增了一條與現有USB 2.0總線(xiàn)并行的物理總線(xiàn)，見(jiàn)圖1。 USB 3.0電流傳輸能力的提高強化了對全新電路保護方案的需求。一種協(xié)同電路
- 關(guān)鍵字： 泰科 USB3.0 過(guò)流保護 過(guò)壓保護 ESD保護
基于USB2.0的高性能移動(dòng)存儲設備的設計
- 1．引言 閃存盤(pán)（FLASH MEMORY）是USB接口的一種典型應用，1999年朗科研發(fā)出全球第一款USB閃存盤(pán)，成功啟動(dòng)了全球閃存盤(pán)行業(yè)。由于閃存是一種基于半導體的存儲器，信息在斷電后可以保存，并且還具有低功耗、速
- 關(guān)鍵字： USB 2.0 性能 移動(dòng)存儲設備
USB3.0過(guò)電流保護PPTC組件應用解決方案
- 隨著(zhù)高新技術(shù)的不斷提升，外圍設備也在不斷更新?lián)Q代，在USB應用方面，USB3.0除了提升速度外，同時(shí)對電力的供應也有所提高。針對業(yè)界常用的過(guò)電流保護組件高分子正溫度系數熱敏電阻(PPTC)做介紹，并于在USB 3.0的應
- 關(guān)鍵字： PPTC USB 3.0 過(guò)電流保護
力科在發(fā)布PCIe 3.0綜合測試解決方案
- 第一個(gè)支持PCIe 3.0的高性能通訊發(fā)生器和練習器 Summit Z3-16 Exerciser 同步2臺WaveMaster 8 Zi 在4通道上同時(shí)提供30GHz帶寬的Zi-8CH-SYNCH同步器 第一個(gè)針對PCIe集成了示波器和協(xié)議分析儀的ProtoSync PE 第一個(gè)嵌入到仿真軟件的PCIe協(xié)議分析儀SimPASS 2010年2月2日，力科在DesignCon 2010上首次公布將PCIe 3.0測試解決方案延伸到芯片開(kāi)發(fā)的所有階段。此外，力科還發(fā)布了Zi-8CH
- 關(guān)鍵字： 力科 PCIe 3.0 測試
富士通USB 3.0-SATA橋接芯片獲得USB-IF產(chǎn)品認證
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布富士通微電子的USB 3.0-SATA橋接芯片已通過(guò)美國USB Implementers Forum(USB-IF，USB接口的標準化團體)的產(chǎn)品認證，并獲得認證證書(shū)。 富士通MB86C30橋接芯片已經(jīng)通過(guò)USB-IF產(chǎn)品質(zhì)量的合格測試。與USB 2.0器件相比，MB86C30將外部存儲設備(如硬盤(pán)驅動(dòng))至電腦的數據傳輸率提高了一個(gè)數量級。另外，該芯片還內置USB通信控制電路、SATA通信控制電路、協(xié)議控制和命令控制電路以及加密/解密引擎。 富士通微電子
- 關(guān)鍵字： 富士通 USB3.0 橋接芯片 USB接口
USB 3.0線(xiàn)纜和連接器的阻抗和插損測試
- 下一代串行數據標準采用的高速率已經(jīng)進(jìn)入到微波領(lǐng)域。比如，即將到來(lái)的SuperSpeed USB(USB 3.0)通過(guò)雙絞線(xiàn)對線(xiàn)纜傳輸速的率就達到了5Gb/s。通過(guò)連接器和線(xiàn)纜傳輸如此高的速率必須考慮通道的不連續性引起的失真。為了將失真程度保持在一個(gè)可控的水平，標準規定了線(xiàn)纜和連接器對的阻抗和回波損耗。最新的測量使用S參數S11表征而且必須歸一化到線(xiàn)纜的90歐姆差分阻抗。 當測量USB 3.0通道的S參數時(shí)，可選的儀器是時(shí)域反射計或TDR。TDR系統通常往待測器件注入一個(gè)階躍電壓信號然后測量是時(shí)間
- 關(guān)鍵字： USB3.0 連接器
NEC電子推出內置USB2.0通信功能16位微控制器
- NEC電子日前推出12款內置USB2.0通信功能、實(shí)現業(yè)界尖端低功耗技術(shù)的16位全閃存微控制器“78K0R/Kx3-L”系列產(chǎn)品，并于即日起開(kāi)始提供樣品。 新產(chǎn)品包括6款外部引腳48pin的“78K0R/KC3-L”，以及6款64pin的“78K0R/KE3-L”。樣品價(jià)格根據存儲容量、封裝種類(lèi)及引腳數而不同。以128KB全閃存、8KBRAM的64pin QFP封裝“78K0R/KE3-L”為例，樣品
- 關(guān)鍵字： NEC電子 USB2.0 微控制器 78K0R/Kx3-L
USB3.0登場(chǎng)，提升電路保護設計要求
- 隨著(zhù)連接帶寬需求不斷增長(cháng)的步伐，USB2.0的480mbps傳輸速度已經(jīng)不足以滿(mǎn)足現在和未來(lái)的應用要求，USB3.0標準的推出意味著(zhù)USB接口即將迎接又一次換代。USB3.0或所謂“超高速USB”支持5Gbps左右的傳輸速率，在傳輸速度、電源管理和靈活性方面向前跨越一大步。業(yè)界普遍預測2010年年中，USB3.0將在手機、便攜上網(wǎng)終端等應用領(lǐng)域迎來(lái)巨大商機。 USB3.0提供更高的傳輸率、提高了最大總線(xiàn)功率和設備電流、提供全新的電源管理功能以及向下兼容USB2.0的新型電
- 關(guān)鍵字： USB3.0 連接器
英特爾確認2011年導入USB3.0和SATA6G
- 一月初，Intel發(fā)布了最新一代H55、H57主板芯片組，H55、H57是P55的整合平臺版本，從這一代開(kāi)始，圖形顯示核心實(shí)際上已經(jīng)從主板芯片轉 移到CPU內部。 Intel5系列主板芯片組仍然采用65nm工藝制程，到6系列芯片組發(fā)布才會(huì )采用45nm工藝。 Intel6系列主板芯片組將升級DMI總線(xiàn)到2.0版本，大概在第二季度X68主板芯片組就將問(wèn)世，它仍然采用雙芯片設計，搭載ICH11南橋。 一直到2011年的P65、H65以及Q65我們才有可能看到Intel導入USB3.0、SA
- 關(guān)鍵字： Intel USB3.0 65nm
泰克 SuperSpeed 為NEC電子獲得USB 3.0認證
- 全球示波器市場(chǎng)的領(lǐng)導廠(chǎng)商—泰克公司日前宣布，其SuperSpeed USB解決方案為NEC電子符合USB 3.0標準的主機提供信號質(zhì)量監測，該主機是世界首款獲得USB設計者論壇USB 3.0認證的產(chǎn)品。 作為設計和生產(chǎn)集成電路的全球領(lǐng)導企業(yè)，NEC電子選擇與泰克合作，驗證其新的硅元件以滿(mǎn)足新興的SuperSpeed USB標準(USB3.0)要求。USB技術(shù)已經(jīng)迅速被公認為連接電腦及外設的行業(yè)標準，與其它先進(jìn)的高速接口如PCI Express 2.0和SATA Gen 3等相比，US
- 關(guān)鍵字： 泰克 SuperSpeed USB3.0
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