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一種基于混合信號技術(shù)的汽車(chē)電子單芯片設計

- 隨著(zhù)汽車(chē)部件電子化程度的不斷提高,汽車(chē)工程師們正積極地尋求車(chē)輛系統中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車(chē)系統中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車(chē)工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?,F在,應用與42V車(chē)載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復雜的數字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開(kāi)關(guān)驅動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線(xiàn)系統 由于其相對較低的造價(jià),LIN總線(xiàn)正被廣泛應用于汽車(chē)的分布式電氣
- 關(guān)鍵字: AMI CMOS
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標志著(zhù)移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān),相信會(huì )在集成電路上實(shí)現前所未有的功能。 集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò )追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠(chǎng)商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )的單
- 關(guān)鍵字: 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設計

- 本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402
一款可實(shí)現超低壓差CMOS線(xiàn)性穩壓器的設計方案
- 隨著(zhù)筆記本電腦、手機、PDA等移動(dòng)設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成...
- 關(guān)鍵字: CMOS 線(xiàn)性穩壓器
hdr-cmos介紹
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