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hdr-cmos 文章 進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區
一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡(jiǎn)介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準,于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管,也就是一個(gè)耗盡型器件,它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
- 關(guān)鍵字: MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆
- 作為專(zhuān)注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商,卓勝微電子今日宣布,公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能?!弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者,三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求,同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力?!? 卓勝微電子的GPS
- 關(guān)鍵字: 卓勝微電子 CMOS
卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆
- 2014年5月5日,作為專(zhuān)注在WiFi,藍牙,GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商,卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者,三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求,同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字: GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元
- 市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition,STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出,因為具備省電與非揮發(fā)特性,MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規??赏?013年的1.9億美元左右,到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字: MRAM CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù):可穿戴電子設備成功的關(guān)鍵
- 最近以來(lái)智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關(guān)注,但市場(chǎng)一直處于“雷聲大,雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因,有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設備實(shí)現突破:小型化低功耗技術(shù)還滿(mǎn)足不了需求、“殺手級”應用服務(wù)缺失、外觀(guān)工藝粗糙、用戶(hù)使用習慣仍需培養?! 募夹g(shù)層面上看,先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一,特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )秘書(shū)長(cháng)蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應用處理器、
- 關(guān)鍵字: 穿戴式 SiP 3D CMOS
基于視覺(jué)的駕駛員輔助嵌入式系統(上)

- 本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統的應用、引入它的動(dòng)機及好處。此外,本文還介紹了視覺(jué)處理的未來(lái)解決方案與技術(shù)進(jìn)步,可確保在功率有限的情況下實(shí)現最大性能。適用于前照燈控制、車(chē)道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案,目前使用分辨率高達120萬(wàn)像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著(zhù)新一代傳感器的推出,分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體,需要復雜的算法。車(chē)道保持、自動(dòng)緊急剎車(chē)或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別,但所有這些
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 CMOS FPGA MAC
一種數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統設計

- 本文提出了一種全新的數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統, 該系統具有可實(shí)時(shí)觀(guān)察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數據等功能。 對消化道疾病的檢查, 目前最常用和最直接有效的方法就是內窺鏡檢查, 它在消化道疾病的診斷中起著(zhù)極為重要的作用。但現有的常用內窺鏡系統都不得不帶有引導插管, 給系統操作帶來(lái)不便, 同時(shí)給檢查病人也帶來(lái)很大的痛苦, 而且檢查的部位受到限制, 無(wú)法實(shí)現對小腸部分的檢查。隨著(zhù)微電子技術(shù)的發(fā)展, 以色列人開(kāi)發(fā)出了無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統[1],其發(fā)展還在起步階段, 存在一些局限性, 比如圖像
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線(xiàn) CMOS
安森美半導體推出高能效電池監測器

- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON?Semiconductor,)推出新系列的互補金屬氧化物半導體(CMOS)?“電池電量監測器”集成電路(IC),為智能手機、平板電腦及數碼相機等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結合了高精度等級,以及業(yè)界最低能耗,優(yōu)于執行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數量及降低系統成本,因為它們跟競爭器件不同,并不要求電流感測電阻來(lái)組成方案?! “采腊?/li>
- 關(guān)鍵字: 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監測
hdr-cmos介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條hdr-cmos!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對hdr-cmos的理解,并與今后在此搜索hdr-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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