富士通與Nantero達成協(xié)議 2018年推出快1000倍的NRAM內存

　　富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國的Nantero公司達成協(xié)議，授權該公司的碳納米管內存(NRAM)技術(shù)，三方公司未來(lái)將致力于NRAM內存的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)。據了解，借由NRAM技術(shù)所生產(chǎn)的內存速度將是當前普通內存的1,000倍。預計，借由三方面的合作，將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內存。

　　在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(CNT)是一種很獨特的材料，直徑只有人類(lèi)頭發(fā)的五萬(wàn)分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲存領(lǐng)域，碳納米管通過(guò)矽基沉底也能達到0與1變化。因此，也可以用來(lái)當做儲存芯片使用，而且因為其特性為非揮發(fā)性，所以就算斷電也不會(huì )清除儲存在上面的資訊。

　　而由于碳納米管有著(zhù)特別的特性，因此相較于當前的普通內存，NRAM芯片的具有非常強大的優(yōu)勢。除了讀寫(xiě)速度是普通閃存的1,000倍(Nanteo官網(wǎng)上表示是1,000倍)之外，同時(shí)可提供功耗更低，更具可靠性與耐用性的內存，而且生產(chǎn)成本更低。

　　富士通半導體系統內存副總裁松宮正人表示，借由Nantero公司的碳納米管技術(shù)而生產(chǎn)的非揮發(fā)性?xún)Υ鎯却媸菢I(yè)界的一個(gè)超越了傳統技術(shù)的顯著(zhù)進(jìn)步。而富士通半導體自90年代以來(lái)，一直是在設計和生產(chǎn)非揮發(fā)性?xún)却鍲RAM(鐵電隨機存取內存)的少數廠(chǎng)商之一。因此，富士通半導體具有整合FRAM設計和生產(chǎn)的能力。如今再與Nantero公司達成協(xié)議之后，未來(lái)將就由過(guò)去設計與生產(chǎn)FRAM的能力，用于開(kāi)發(fā)NRAM內存，以滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。

　　Nantero董事長(cháng)兼CEO Greg Schmergel指出，Nantero已經(jīng)在碳納米管的內存儲存技術(shù)上研究了十多年，具備生產(chǎn)NRAM內存的先進(jìn)技術(shù)。而本次與富士通半導體與三重富士通半導體兩家公司的合作，由于兩家公司都是全球生產(chǎn)儲存設備中最成功的企業(yè)之一。借由其在研發(fā)與生產(chǎn)FRAM的經(jīng)驗，未來(lái)可以在NRAM內存的合作上產(chǎn)生更大的效益，建立更緊密的關(guān)系。

　　不過(guò)，對于此合作案，有業(yè)界人士指出，Nantero公司自從2006年就說(shuō)要開(kāi)始生產(chǎn)碳納米管內存了。但是，到現在一直沒(méi)什么特別的進(jìn)展。未來(lái)，即便是跟富士通半導體達成了合做協(xié)議，量產(chǎn)的NRAM芯片容量還是不夠大，只適合一些嵌入式設備使用。所以，未來(lái)是不是能夠改變整個(gè)內存的生態(tài)，還有待進(jìn)一步的觀(guān)察。