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全球fab設備支出2013年將持平 2014年會(huì )有24%的增長(cháng)

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì )有24%的增長(cháng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠(chǎng)設備支出增長(cháng)點(diǎn)在于技術(shù)節點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì )增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過(guò)180家機構的設備支出。
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全球fab設備支出2013年將持平 2014年會(huì )有24%的增長(cháng)

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會(huì )有24%的增長(cháng),至393億美元,見(jiàn)2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠(chǎng)設備支出增長(cháng)點(diǎn)在于技術(shù)節點(diǎn)的更新,同時(shí)FAB廠(chǎng)建方面的支出會(huì )增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過(guò)180家機構的設備支出。
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X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng )180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB持續擴張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)

  •   X-FAB Silicon Foundries 宣布,已經(jīng)增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股,從25.5%提高到51%,成為后者的最大股東,并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統晶圓廠(chǎng)(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。   上述動(dòng)向反映了X-FAB對MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠(chǎng)補強了X-FAB 微機電系統晶圓廠(chǎng)最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源,增添微感測器、致動(dòng)器、微光學(xué)結構與
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X-FAB收購MFI大部分股份

  •   X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。   此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠(chǎng)補充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠(chǎng)的MEMS的生產(chǎn)能力及資源,添加了微感應器、制動(dòng)器、微光學(xué)結構與密封晶片級封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。   X-FAB MEMS Found
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X-FAB收購MFI大部分股份

  • X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時(shí)將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
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Enea的Polyhedra Lite內存關(guān)系數據庫系統免費軟件現已面世

  •   瑞典斯德哥爾摩,2012年10月11日–為3G和4G基礎架構設備提供操作系統方案的全球領(lǐng)先供應商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內存數據庫系統Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。   Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統的開(kāi)發(fā)者而設計,對該領(lǐng)域而言,容錯系統等功能非常重要。然而,對許多用戶(hù)而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數據庫系統,用于個(gè)人或公司內部用途。   相較于Polyhedra 的32位模式完整版,
  • 關(guān)鍵字: Enea  內存  Polyhedra Lite  

Enea的Polyhedra Lite內存關(guān)系數據庫系統免費軟件現已面世

  •   為3G和4G基礎架構設備提供操作系統方案的全球領(lǐng)先供應商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內存數據庫系統Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。   Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統的開(kāi)發(fā)者而設計,對該領(lǐng)域而言,容錯系統等功能非常重要。然而,對許多用戶(hù)而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個(gè)迅速而靈活的關(guān)系數據庫系統,用于個(gè)人或公司內部用途。   相較于Polyhedra 的32位模式完整版,Polyhedra Lite是一
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X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運營(yíng)上

  • 德國艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries,日前宣布為了MEMS的營(yíng)運將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應預期中MEMS的成長(cháng)。
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XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數,32層,其中包含數字、模擬、高壓元件、并閃存,而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統芯片(SoCs),此方案具有極高的性?xún)r(jià)比,其中的45V高壓元件與嵌入式內存,EEPROM、非揮發(fā)性隨機內存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash),更適用于高速微處理器、數字電源、和車(chē)用電子。
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歐洲晶圓代工廠(chǎng)應對亞洲同行挑戰

  •   據iSuppli公司,通過(guò)采用有針對性的技術(shù)、靈活的生產(chǎn)擴張戰略和明智的收購行動(dòng),歐洲半導體代工廠(chǎng)商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場(chǎng)中占有一席之地,成為模擬與混合信號半導體供應商。   
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蘋(píng)果應該自己建個(gè)fab

  •   蘋(píng)果應該考慮自己建個(gè)fab,不是在開(kāi)玩笑,而是算一個(gè)建議。甚至可以打個(gè)賭Steve Jobs一定考慮過(guò)這件事。   蘋(píng)果應該考慮建自己的fab,生產(chǎn)iPad及iPhone用的A4處理器,由此自己的處理器性能可以不斷的提高。   顯然,建fab要化很多錢(qián),這么多年蘋(píng)果把自己看作是一家傳統的OEM,買(mǎi)進(jìn)元件,把它們組裝成產(chǎn)品或者系統,而讓它的芯片供應商來(lái)承擔fab的風(fēng)險,但是為什么蘋(píng)果不能改變一下思路呢?   因為蘋(píng)果與傳統的OEM不同,它的產(chǎn)品有iPod、iPhone、iPad等,而且預計未來(lái)會(huì )有
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠(chǎng)技術(shù)

  •   X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠(chǎng)及“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠(chǎng)工藝。它能用于電池管理,提供新類(lèi)型的可靠及高性能電池監控與保護系統。它也非常適合用于功率管理設備,以及用于使用壓電驅動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類(lèi)與P類(lèi)雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管,對于達到100V的多運作電壓,導通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
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X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝

  •   X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠(chǎng)及“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家,今天宣布其將擴大自身的晶圓廠(chǎng)服務(wù),囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠(chǎng)中占據有利地位,并能使為汽車(chē)與消費電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)應用設備的客戶(hù)受益。公司早已開(kāi)展與主要客戶(hù)合作,結合0.35微米CMOS技術(shù),開(kāi)發(fā)200毫米晶片的MEMS設
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X-FAB將參展2010 中國國際微機械/MEMS展覽會(huì )

  •   業(yè)界領(lǐng)先的模擬或混合信號硅晶圓代工廠(chǎng)和“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家X-FAB公司,將參加2010年5月27日-29日舉行的中國國際微機械/MEMS展覽會(huì )暨新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化論壇,展示其先進(jìn)的MEMS代工廠(chǎng)服務(wù),展位號為 #A303 & 304。X-FAB公司的代工制程技術(shù),已經(jīng)被廣泛地應用在制造微型機械傳感器上,包含結合了MEMS和CMOS的集成解決方案, 可以用來(lái)探測壓力、加速度、轉速和紅外線(xiàn)輻射。   X-FAB在MEMS代工方面已經(jīng)擁有超過(guò)10年的經(jīng)驗,為壓力傳感器、
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