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保護汽車(chē)電子系統中的數據線(xiàn)與電源線(xiàn)

  •   前言   今天,汽車(chē)電子設備在整車(chē)中所占的比例相當大。這些電子模塊雖然為汽車(chē)用戶(hù)帶來(lái)了舒適性和安全性,但與此同時(shí),從汽車(chē)環(huán)境中電子模塊的可靠性來(lái)分析,也產(chǎn)生了一些不容忽視的問(wèn)題。   因為電子模塊對電磁干擾(EMI)、靜電放電(ESD)和其它電氣干擾(汽車(chē)本身是這些危害的源頭)十分敏感,所以在汽車(chē)環(huán)境中使用電子模塊時(shí)必須慎重考慮。針對當前汽車(chē)常見(jiàn)的電氣危害,國際標準化組織出臺了多套電氣保護標準。汽車(chē)制造商和供應商必須考慮這些標準,而只有在電子模塊中增加保護元器件,才能履行這些標準所規定的主要責任。
  • 關(guān)鍵字: ST  汽車(chē)電子  EMI  ESD  

保護汽車(chē)電子系統中的數據線(xiàn)和電源線(xiàn)

ST推出一款新的濾波和ESD保護二合一芯片

  •   消費電子全球領(lǐng)先半導體供應商意法半導體推出一款新的濾波和ESD保護二合一芯片,新產(chǎn)品可以濾除手機產(chǎn)生的高頻干擾,讓便攜音樂(lè )播放器和功能手機輸出更為優(yōu)異的音質(zhì)。   意法半導體的這款新器件是銷(xiāo)售量日益增長(cháng)的音樂(lè )手機的理想選擇。市場(chǎng)調查公司iSuppli預測,到2010年,音樂(lè )手機的年銷(xiāo)售量將超過(guò)10億臺,占整個(gè)手機市場(chǎng)份額的90%以上。這款新器件還可以保護其它便攜音樂(lè )播放器,防止附近的手機產(chǎn)生的電磁干擾。   新器件EMIF04-EAR02M8的尺寸為1.5 x 1.7mm,可以替代音樂(lè )播放器的
  • 關(guān)鍵字: ST  ESD  濾波  便攜音樂(lè )播放器  

高性能的便攜應用ESD保護方案

  •   隨著(zhù)手機等便攜設備中具備更多的功能,可供靜電放電(ESD)電壓進(jìn)入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多,包括鍵盤(pán)、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線(xiàn)、LCD顯示屏、耳機插孔、FM天線(xiàn)等眾多位置都需要ESD保護。根據電容及數據率的不同,便攜設備的ESD保護應用領(lǐng)域可分為大功率、高速和極高速等三個(gè)類(lèi)型,其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF,參見(jiàn)表1。由此表中可見(jiàn),速度越高的應用要求的電容也越低,這是因為高速應用中更需要維持信號完整性及降低插入損耗。   表1:便攜
  • 關(guān)鍵字: 安森美  ESD  便攜設備  CMOS芯片  TVS  

安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件

  •   全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無(wú)引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封裝面積,與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比,提供顯著(zhù)的性能/電路板面積比優(yōu)勢。   安森美半導體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G,擴展了公司高性能片外ESD保護產(chǎn)品系列。安森美
  • 關(guān)鍵字: 安森美  ESD  ESD11N  ESD11B  

飛思卡爾系統基礎芯片簡(jiǎn)化并幫助保護汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )

  •   LIN(Local Interconnect Network)是基于通用異步收發(fā)器(UART)的串行通信協(xié)議作為一種低成本的串行通訊網(wǎng)絡(luò ),用于實(shí)現汽車(chē)中的分布式電子系統控制,LIN為現有汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )(例如CAN總線(xiàn))提供輔助功能,LIN網(wǎng)絡(luò )為電機、開(kāi)關(guān)、傳感器和燈的連接提供了經(jīng)濟高效的單線(xiàn)主從架構。   為了保護運行在惡劣環(huán)境中的汽車(chē)電子組件,飛思卡爾半導體近日推出了先進(jìn)系統基礎芯片(SBC)系列,旨在為L(cháng)IN汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )提供強勁的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)性能。   針對汽車(chē)電子應用市場(chǎng)對
  • 關(guān)鍵字: 飛思卡爾  LIN  UART  汽車(chē)網(wǎng)絡(luò )  SMARTMOS  EMC  ESD  200906  

安森美推出共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護IC

  •   安森美半導體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護集成電路(IC) ,應用于高速數據線(xiàn)路。   新的NUC2401MN結合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護。這些結合的特性,使這方案遠優(yōu)于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案,同時(shí)有助顯著(zhù)減少元件數量。這器件讓設計人員實(shí)現優(yōu)異的濾波及保護性能,且節省空間及成本,并提高總體可靠性,非常適用于基于高速差分數據線(xiàn)路的廣泛應用,包括USB 2.0、IEEE1394、低壓差分信令(L
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技術(shù)降成本 創(chuàng )新求發(fā)展

  •         電子元件技術(shù)網(wǎng)(www.cntronics.com)攜手中國電子展將在4月9日-4月10日在深圳會(huì )展中心舉辦三大技術(shù)和采購研討會(huì )及峰會(huì ),主題為:技術(shù)降成本,創(chuàng )新求發(fā)展。   金融海嘯席卷全球,中國的電子制造業(yè)也受到不同程度的影響。今天的設計活動(dòng)是明天的晴雨表,知道了產(chǎn)品的趨勢和技術(shù)應用的趨勢可以預測市場(chǎng)的變化。市場(chǎng)不好,研發(fā)更不能停。電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO劉杰博士(Michael Liu)認為經(jīng)濟下坡時(shí),市場(chǎng)受信心的影響
  • 關(guān)鍵字: 元件  創(chuàng )新  ESD  LED  

探索供應電源關(guān)閉時(shí)的‘Off-amps’問(wèn)題

  • 除了靜電放電(ESD)測試以外,放大器的所有特性都是以電源開(kāi)啟的狀態(tài)下所呈現的,因此,當電源供應關(guān)閉時(shí),放大器所 ...
  • 關(guān)鍵字: ADI  ESD  電源  關(guān)閉  保護  

在PCB板的設計當中抗ESD的方法與分析

可靠性工程——關(guān)于電子設備靜電放電(ESD)防護的設計原則

  • 0 引言   靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過(guò)程中,發(fā)生電子或離子的轉移,正電荷和負電荷在局部范圍內失去平衡,就形成了靜電。當物體表面的靜電場(chǎng)梯度達到一定的程度,正電荷和負電荷發(fā)生中和,就出現了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現在兩個(gè)物體之間,也可由物體表面經(jīng)電荷直接向空氣放電。 l 靜電放電的危害   靜電作為一種普遍物理現象,近十多年來(lái)伴隨著(zhù)集成電路的飛速發(fā)展和高分子材料的廣泛應用,靜電的作用力、放電和感應現象引起的危害十分嚴重,美國統計,美國電子行業(yè)部門(mén)每年因靜電危
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CMOS集成電路中ESD保護技術(shù)研究

  •   靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過(guò)程中無(wú)處不在,積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時(shí)間里釋放,瞬間功率高達幾百千瓦,放電能量可達毫焦耳,對芯片的摧毀強度極大。所以芯片設計中靜電保護模塊的設計直接關(guān)系到芯片的功能穩定性,極為重要。隨著(zhù)工藝的發(fā)展,器件特征尺寸逐漸變小,柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強度近似為8×106V/cm,因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右,盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多,但是各種因素造成的靜電,一般其峰值電壓遠超過(guò)8 V
  • 關(guān)鍵字: CMOS  ESD  

安森美半導體專(zhuān)家在靜電放電保護技術(shù)研討會(huì )作主題報告

  •   2008年11月4日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術(shù)研討會(huì )上,針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來(lái)的損失,從元件、制造和系統三個(gè)層級的技術(shù)面加以探討,為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來(lái)的損害,除了可選擇在制程中直接控制ESD之外,也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長(cháng)期投入于研發(fā)ESD保護技術(shù),通過(guò)先進(jìn)的ESD保護技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列
  • 關(guān)鍵字: 安森美半導體  ESD  電子  

汽車(chē)電子引爆無(wú)源器件發(fā)展新高潮

  •   在全球半導體產(chǎn)業(yè)為IC領(lǐng)域的45nm、多核技術(shù)的飛速發(fā)展所吸引時(shí),一向波瀾不驚的無(wú)源器件在汽車(chē)電子的推動(dòng)下正暗流涌動(dòng),7月31日,TDK宣布收購EPCOS,劍指汽車(chē)電子領(lǐng)域。而村田,也在7月拉開(kāi)了中國九城市汽車(chē)技術(shù)研討會(huì )的序幕。汽車(chē)電子給無(wú)源器件提出哪些新的需求?無(wú)源器件在這些新需求下出現什么新的變化?中國汽車(chē)電子設計工程師在無(wú)源器件的應用上應該注意什么?來(lái)自全球主要無(wú)源器件供應商將為你解讀無(wú)源器件在汽車(chē)電子應用上的未來(lái)與新技術(shù)。   汽車(chē)電子如何推動(dòng)無(wú)源器件發(fā)展   隨著(zhù)汽車(chē)電子化、
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手機中ESD和EMI干擾

  •   這篇文章簡(jiǎn)要地探討了手機音頻系統中ESD及EMI的起因及結果。接著(zhù)研討了ESD干擾抑制器和EMI濾波器的使用,以避免這些威脅。最后,比較了當前三種解決方案。    現代材料和技術(shù)引起靜電放電(ESD)和電磁干擾(EMI),并成為經(jīng)常存在的危險。我們的穿著(zhù)和我們接觸的物品會(huì )引起靜電放電。數字技術(shù)已有電磁干擾。靜電放電會(huì )破壞手機里的電子部件。手機容易替換,但對用戶(hù)的傷害很大。手機電路設計者必須確保采取必要的措施,以消除ESD的破壞。   在音頻電路中如有電磁干擾(EMI),會(huì )出現嘶嘶、噼
  • 關(guān)鍵字: 手機  ESD  EMI  音頻  
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