安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無(wú)引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比，提供顯著(zhù)的性能/電路板面積比優(yōu)勢。

　　安森美半導體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，擴展了公司高性能片外ESD保護產(chǎn)品系列。安森美半導體將ESD保護產(chǎn)品系列以業(yè)界最小的封裝面市，實(shí)力又進(jìn)一步。這最新ESD產(chǎn)品系列非常適用于保護如手機、MP3播放器、個(gè)人數字助理(PDA)和數碼相機等極之講究電路板空間的便攜應用中的數據線(xiàn)路。

　　ESD11N和ESD11B是安森美半導體下一代的專(zhuān)有ESD保護技術(shù)，提供驕人的鉗位電壓。安森美半導體結合業(yè)界最低的鉗位電壓及最小的封裝，提供無(wú)與倫比的ESD保護選擇。這些產(chǎn)品減少的尺寸及雙向單線(xiàn)的設計提供極靈活及簡(jiǎn)單的布線(xiàn)，適用于種種空間受限的應用。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3mm，與常見(jiàn)的SOD-923(也稱(chēng)0402)封裝相比，節省3倍的電路板空間。

　　ESD11N這0.6皮法(pF)器件，利用安森美半導體的專(zhuān)利集成ESD技術(shù)，提高鉗位性能，同時(shí)維持低電容。低電容值確保這器件幾乎不影響高速數據線(xiàn)路的信號完整性，使其非常適用于USB 2.0和高清多媒體接口(HDMI)等應用。此外，ESD11N在達3千兆赫(GHz)頻率時(shí)維持低于0.5分貝(dB)的插入損耗，并在不同電壓和頻率范圍內維持極佳的電容線(xiàn)性度，故適合保護高頻天線(xiàn)線(xiàn)路，而影響極小。而ESD11B這15 pF器件，將安森美半導體的低鉗位電壓ESD保護技術(shù)擴展至新的0201 DSN-2封裝，為需要以有限空間設計緊湊電路板的通用及低速數據線(xiàn)路提供保護選擇。

　　兩款新的ESD產(chǎn)品都在數以納秒(ns)計的時(shí)間內，鉗位符合IEC61000-4-2接觸放電標準的8千伏(kV)輸入ESD波形至不到10伏(V)。這鉗位性能業(yè)界領(lǐng)先，連最敏感的集成電路也能保護到。

　　安森美半導體保護及控制產(chǎn)品部總經(jīng)理兼總監Gary Straker說(shuō)：“由于客戶(hù)不斷需要在與日縮小的產(chǎn)品設計中提升ESD保護性能，安森美半導體遂推出采用節省空間的0201 DSN-2封裝的創(chuàng )新型保護器件。發(fā)揮安森美半導體的領(lǐng)先保護技術(shù)，推出突破性封裝設計，是公司貫徹開(kāi)發(fā)針對業(yè)界與日講究保護需要的方案之又一明證。”