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elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區
MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實(shí)現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線(xiàn)性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線(xiàn)性化的基礎上推導出來(lái)。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個(gè)工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí)，器件處于截止區。當MOSFET用作
- 關(guān)鍵字： 雷卯 MOSFET
SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 柵極驅動(dòng) 安森美
ROHM開(kāi)發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET
- 新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅動(dòng)全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅動(dòng)以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來(lái)，全球電力需求量持續增長(cháng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務(wù)器等工業(yè)設備的工作
- 關(guān)鍵字： ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達驅動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時(shí)維持低導
- 關(guān)鍵字： Diodes 碳化硅 MOSFET
貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
- 關(guān)鍵字： 貿澤 安森美 EliteSiC 碳化硅
基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案
- 因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
- 關(guān)鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流
同時(shí)實(shí)現業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動(dòng)中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
- 關(guān)鍵字： 超快反向恢復時(shí)間 Super Junction MOSFET MOSFET
正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率
- 優(yōu)化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來(lái)說(shuō)是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
- 關(guān)鍵字： MPS MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于A(yíng)pex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動(dòng)應用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設備。 憑借數十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
[向寬禁帶演進(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?
- _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì )引發(fā)不良的導電性泄漏，且會(huì )隨著(zhù)溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著(zhù)增長(cháng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應用，而且在汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
碳化硅MOSFET加速應用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據報道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠(chǎng)商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長(cháng)3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
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