飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線(xiàn)路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動(dòng)和電燈驅動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在單一封裝中集成了一個(gè)P溝道高端MOSFET和一個(gè)N溝道低端MOSFET，因而容許器件內共漏連接，從而簡(jiǎn)化電路板布局并縮短設計時(shí)間。

　　飛兆半導體通信和消費產(chǎn)品市務(wù)經(jīng)理Mike Speed 表示：“飛兆半導體的FDD8424H使到顯示器設計人員能夠對逆變器設計的占位面積和熱性能進(jìn)行優(yōu)化。相比傳統的SO8 封裝解決方案，雙DPAK封裝中優(yōu)化的導通阻抗RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 增強了開(kāi)關(guān)性能，因此能降低熱耗及提高效率。而且，在驅動(dòng)8個(gè)CCFL燈的背光逆變器中，FDD8424H可使外殼溫度降低12%?！?/P>

　　FDD8424H的主要特性包括：

–優(yōu)化RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 的組合，提供出色的開(kāi)關(guān)性能
–N溝道提供4.1C/W的同類(lèi)最小熱阻抗 (θJC)，P溝道則為3.5 C/W
–單一封裝中集成半橋解決方案，能減小器件占位面積及降低系統總體成本
–P溝道和N溝道MOSFET的共漏連接集成，能簡(jiǎn)化線(xiàn)路板布局

　　這種無(wú)鉛產(chǎn)品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。