意法半導體通過(guò)CMP為科研機構和設計公司提供45納米互補金屬氧化物半導體制造工藝

　　意法半導體和CMP (Circuits Multi Projects ®) 宣布，通過(guò)CMP提供的硅中介服務(wù)，大學(xué)、科研院所和公司可以使用意法半導體的45納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設計。這項消息在巴黎舉行的CMP用戶(hù)年會(huì )上發(fā)布，會(huì )中集結了采用CMP多項目晶片服務(wù)的大學(xué)院校、科研機構或私營(yíng)企業(yè)的代表。通過(guò)CMP的服務(wù)，他們可以委托芯片廠(chǎng)商小批量制造幾十個(gè)到幾千個(gè)的先進(jìn)集成電路。

　　45納米CMOS工藝的推出，是延續ST與CMP授權大學(xué)使用上一代65納米和90納米CMOS制造技術(shù)的成功合作。例如，目前已有100多家大學(xué)(歐洲大學(xué)占60%，美國和亞洲大學(xué)占40%)接受了ST的65納米體效應互補金屬氧化物半導體(Bulk CMOS)制造技術(shù)的設計規則和設計工具。在CMP年會(huì )上，ST和CMP還宣布，CMP提供給大學(xué)的制造技術(shù)組合中增加了ST的 CMOS 65納米絕緣層上硅(SOI)制造技術(shù)。同一芯片，如果設計在SOI襯底上，其性能遠遠高于且(或)功耗遠遠低于在大塊硅襯底上的設計。此外，SOI技術(shù)具有更高的抗輻射性，這使得它的應用范圍更廣，例如，SOI技術(shù)更適合航天航空應用。

　　據CMP總監Bernard Courtois介紹，近幾年采用CMOS技術(shù)制造的產(chǎn)品的數量出現明顯增幅。例如，采用90納米CMOS設計的電路總數在2007年增幅接近100%，2007年總共有91個(gè)電路設計采用了90納米CMOS，2006年為57個(gè)，2005年為32個(gè)，大多數知名大學(xué)都準備在設計項目中運用65納米技術(shù)。

　　“這是一個(gè)非常令人興奮的項目，很好地反映了我們與教育界和研究團體的密切關(guān)系。大學(xué)生和研究人員能夠使用最先進(jìn)的技術(shù)是非常重要的，通過(guò)與CMP合作，二十年來(lái)我們始終在為學(xué)術(shù)界提供最先進(jìn)的技術(shù)，”意法半導體前工序技術(shù)制造部大學(xué)關(guān)系及外聯(lián)主管Patrick Cogez表示，“確保大學(xué)能夠使用我們最先進(jìn)的技術(shù)，還有利于我們吸引最優(yōu)秀的青年工程師加盟ST，這是我們保持技術(shù)領(lǐng)導者的長(cháng)遠目標的一部分。”