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晶圓代工廠(chǎng)發(fā)展MEMS的唯一要訣:找到強大的設計伙伴

  •         1位伊朗人30多年前獨自來(lái)到美國柏克萊大學(xué)念書(shū),自畢業(yè)后為了一圓其大學(xué)時(shí)期對于MEMS的夢(mèng)想,前前后后共創(chuàng )立了多達6家的MEMS設計公司,而第6家公司InvenSense在其正式開(kāi)張前,就已花了1年多時(shí)間在家埋頭苦干,開(kāi)創(chuàng )出1套前無(wú)古人的MEMS設計公司營(yíng)運模式,如今看來(lái)他對了,至今InvenSense成為任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戲搖桿的唯一陀螺儀供應商,而讓所有MEMS業(yè)界為之瞠目結舌的是,
  • 關(guān)鍵字: MEMS  IC  晶圓  CMOS  

CMOS 集成電路使用時(shí)的技術(shù)要求

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  二極管  

3G中的CMOS基RF集成(05-100)

  •   用戶(hù)需要更小更便宜的手機,在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng )新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: 3G  CMOS  RF  

德州儀器OMAP36x 應用處理器進(jìn)一步壯大 OMAP? 3 產(chǎn)品陣營(yíng)

  •         先進(jìn)的 45 納米 CMOS 工藝技術(shù)顯著(zhù)提升智能電話(huà)及移動(dòng)因特網(wǎng)設備性能并降低其功耗,充分滿(mǎn)足各種移動(dòng)性能需求         2009年2月18日,北京訊         日前,德州儀器 (TI) 宣布推出全新OMAP™ 3 系列的 45 納米產(chǎn)品,可充分滿(mǎn)足
  • 關(guān)鍵字: 德州儀器  TI  CMOS  OMAP?   2D/3D   OpenGL ES  ISP  

多樣化手機設計需要恰當的SoC與SiP混合

  • “單芯片手機”的概念是指利用行業(yè)標準的工藝技術(shù)和傳統硅集成趨勢將手機功能整合在一塊裸片上。但對于蜂窩...
  • 關(guān)鍵字: 單芯片手機  SoC  SiP  CMOS  

新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)出雙電路低噪聲CMOS單電源運算放大器

  • 新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)完成了雙電路低噪聲CMOS單電源軌至軌輸出運算放大器NJU7029,該產(chǎn)品最適用于加速度傳感器、震蕩傳感器和光傳感器的信號處理。 NJU7029是雙電路CMOS運算放大器,實(shí)現了低噪聲(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益寬帶(3MHz)、低電壓工作(2.2V~5.5V),并且具有輸入偏置電流為1pA(typ.)的高輸入阻抗特性,即便是加速度、震蕩、光等各種傳感器的微小輸入信號也能準確地放大。 NJU7029具有軌至軌輸出特性,實(shí)現
  • 關(guān)鍵字: 新日本無(wú)線(xiàn)  運算放大器  CMOS  低噪聲  

基于CPLD的高幀頻CMoS相機驅動(dòng)電路設計

  • 依據Micon公司MI―MVl3型高幀頻互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器驅動(dòng)控制時(shí)序關(guān)系,設計了高幀頻相機驅動(dòng)控制時(shí)序。選用Actel公司復雜的可編程邏輯器件及其開(kāi)發(fā)系統,并利用硬件描述語(yǔ)言實(shí)現了驅動(dòng)時(shí)序及控制時(shí)序。實(shí)驗表明,設計的控制驅動(dòng)時(shí)序完全能滿(mǎn)足圖像傳感器的要求。
  • 關(guān)鍵字: CPLD  CMoS    相機    

富士通開(kāi)發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: CMOS  富士通  WiMAX  

低功耗低噪聲CMOS放大器設計與優(yōu)化

  • 分析了兩種傳統的基于共源共柵結構的低噪聲放大器LNA技術(shù):實(shí)現噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設計方法。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  低功耗  低噪聲  放大器設計    

SoC與SiP各有千秋 兩者之爭仍將繼續

  •   對生命周期相對較長(cháng)的產(chǎn)品來(lái)說(shuō),SoC將繼續作為許多產(chǎn)品的核心;而若對產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高,則應使用SiP。   現代集成技術(shù)已經(jīng)遠遠超越了過(guò)去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補金屬氧化物半導體)工藝。人們正在為低成本無(wú)源元件集成和MEMS(微機電系統)傳感器、開(kāi)關(guān)和振蕩器等電器元件開(kāi)發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著(zhù)與集成到傳統CMOS芯片相比,可以把更多的功能放到SiP封裝(系統級封裝)中,這些新技術(shù)并不會(huì )替代CMOS芯片,而只是作為補充。   如果
  • 關(guān)鍵字: SoC  CMOS  SiP  

意法半導體談LDO選型

  • 1.對于目前LDO的市場(chǎng),您的看法是?我們如何繼續擴大在LDO市場(chǎng)中的地位?1.雖然整個(gè)半導體市場(chǎng)增長(cháng)減速,但是LD...
  • 關(guān)鍵字: LDO  ST  

大電流、低飽和次級線(xiàn)性穩壓器設計

  • 在整機設備不斷實(shí)現小型化和省電化的今天,功耗小的低漏失線(xiàn)性穩壓器(LDO)正成為開(kāi)關(guān)電源用線(xiàn)性穩壓器市場(chǎng)的...
  • 關(guān)鍵字: LDO  

為蜂窩電話(huà)設計選擇LDO

  • 蜂窩電話(huà)設計需要低壓差、低噪聲、高PSRR、低靜態(tài)電流(Iq)、低成本的線(xiàn)性穩壓器,并要求這些線(xiàn)性穩壓器能夠提供...
  • 關(guān)鍵字: LDO  手機  便攜  

如何為你的高性能系統挑選合適的LDO

  • 大部分系統設計工程師可能都會(huì )同意線(xiàn)性穩壓器是眾多穩壓器之中最容易使用的一種,而且由于這個(gè)原因,也最受系統...
  • 關(guān)鍵字: LDO  高性能系統  

大電流 LDO實(shí)現直接并聯(lián)和高功率密度

  • 低壓差線(xiàn)性穩壓器(LDO)長(cháng)期以來(lái)被認為是低性能的廉價(jià)器件,尤其是在與相對復雜的開(kāi)關(guān)穩壓器相比時(shí)更是這樣,不...
  • 關(guān)鍵字: LDO  大電流  
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