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電壓調節技術(shù)用于SoC低功耗設計

  •   引言   SoC即“System on chip”,通俗講為“芯片上的系統”,主要用于便攜式和民用的消費的電子產(chǎn)品。隨著(zhù)便攜式和民用電子產(chǎn)品的高速發(fā)展,廣大用戶(hù)對便攜設備新功能的要求永無(wú)止境。于是要求設計人員在設計小型便攜式消費類(lèi)電子產(chǎn)品時(shí),不僅要縮小產(chǎn)品尺寸、降低成本,更重要的是降低功耗,用戶(hù)都希望便攜式產(chǎn)品的電池充電后的工作時(shí)間越長(cháng)越好。于是,系統設計與SoC 設計人員面臨著(zhù)在增加功能的同時(shí)保證電池的使用時(shí)間的挑戰。要達到這一點(diǎn),就需要使用新的節能技術(shù),比如電壓調節(voltage scalin
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Maxim推出汽車(chē)觸點(diǎn)監視器和電平轉換器

  •   Maxim推出MAX13037/MAX13038汽車(chē)觸點(diǎn)監視器和電平轉換器,內置電壓調節器、看門(mén)狗和復位功能。該系列器件對八路遠程機械開(kāi)關(guān)的切換進(jìn)行監視和去抖,同時(shí)僅消耗28µA (典型值)的電源電流。為實(shí)現低電流損耗,該器件采用了創(chuàng )新型可編程輪詢(xún)周期和可編程掃描周期。MAX13037/MAX13038具有寬輸入電壓范圍(
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ARM、DSP、FPGA的技術(shù)特點(diǎn)和區別是什么

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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符合RoHS環(huán)保法規的四步管理策略

  •   歐盟RoHS指令早已生效多時(shí),多數廠(chǎng)商采取了某種類(lèi)型環(huán)境法規的合規管理計劃?,F在的問(wèn)題不是如何符合環(huán)境法規要求,而是如何以最有效率的方式做到這點(diǎn)。隨著(zhù)人們對于環(huán)境法規的理解加深及合規程序的成熟,我們也開(kāi)始歸納出能夠加快合規管理進(jìn)程的最佳做法。   在最終通向合規聲明的前期步驟中,數據收集對于許多廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)是合規管理流程中的重大瓶頸。進(jìn)行合規分析和認證需要大量的數據,多數廠(chǎng)商往往低估這項任務(wù)的工作量。企業(yè)在收集數據前缺乏必要的準備使這個(gè)問(wèn)題變得更加復雜,導致時(shí)間拖延。但是,仍然有一些能夠緩解數據收
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溫度補償晶體振蕩器技術(shù)術(shù)語(yǔ)簡(jiǎn)介

信號發(fā)生器

  •   信號發(fā)生器可分為正弦波發(fā)生器和非正弦波發(fā)生器(又稱(chēng)為張弛振蕩器)兩大類(lèi)。由模擬集成電路構成的正弦波發(fā)生器,其工作頻率多數是1MHz以下,其電路通常由工作于線(xiàn)性狀態(tài)的運算放大器和外接移相選頻網(wǎng)絡(luò )構成。選用不同的移相選頻網(wǎng)絡(luò )便構成不同類(lèi)型的正弦波發(fā)生器。非正弦波發(fā)生器通常由運放構成的滯回比較器(又稱(chēng)施密特觸發(fā)器)和有源或無(wú)源積分電路構成。不同形成的積分電路便構成各種不同類(lèi)型的非正弦波發(fā)生器,如方波發(fā)生器、三角波發(fā)生器、鋸齒波發(fā)生器、單穩態(tài)及雙穩態(tài)觸發(fā)脈沖發(fā)生器及階梯波發(fā)生器等。此外,用模擬集成電路構成的信
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飛兆半導體推出業(yè)界最小的5V/30mA升壓轉換器

  •   飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布針對設計人員空間受限的移動(dòng)和超便攜式產(chǎn)品,推出超小型升壓轉換器解決方案FAN5665。這是高效率的5V/30mA自適應電荷泵升壓轉換器,采用薄型及緊湊的1.21mm X 1.21mm WL-CSP封裝,較之于替代解決方案可節省20% 以上的線(xiàn)路板空間。對于具有USB功能的產(chǎn)品,需要5V的I/O軌輸出,飛兆半導體的FAN5665可提供理想的快速吻合的解決方案。FAN5665亦可用于驅動(dòng)便攜式設備的鍵區LED。這種升壓轉換器的最大側高
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45納米到底意味著(zhù)什么?

  •     背景:當人們以納米為單位討論IC制程時(shí),實(shí)際尺寸的測量值到底是多少?   有些時(shí)候一個(gè)非常直接的問(wèn)題卻有一個(gè)及其麻煩的答案。上面的問(wèn)題就是一個(gè)案例。   最初,IC制程是由印刷和光刻膠所能處理的最細走線(xiàn)來(lái)命名的,后來(lái)成功轉變?yōu)榫A表面的一個(gè)特性。實(shí)際中,這個(gè)特性總是用來(lái)定義MOS晶體管的閘極電極走線(xiàn)。所以,制程的名字就用來(lái)標識閘電極的寬度。   為了使事件更復雜,設計者把它稱(chēng)為“閘長(cháng)度”。不幸的是,閘長(cháng)度還是晶體管速度的一個(gè)近似測量,它決定在手工布線(xiàn)時(shí)你可以堆疊的晶體
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誰(shuí)贏(yíng)誰(shuí)輸?第四季度晶圓代工廠(chǎng)商盤(pán)點(diǎn)

  •     誰(shuí)是2007年第四季度純晶圓代工與IC裝配業(yè)務(wù)領(lǐng)域中的贏(yíng)家與輸家?     贏(yíng)家:臺積電(TSMC)。     不輸不贏(yíng):特許半導體(Chartered)。     輸家:日月光(ASE),中芯國際(SMIC),矽品精密(SPIL),聯(lián)電(UMC)。       這是根據是否能達到Friedman Billings&nbs
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回顧歷史——晶體管誕生60周年

  •     在半導體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的今天,讓我們一起來(lái)閱讀這段60年前的歷史…...     LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年     60年前的1947年12月,3 名貝爾試驗室的科學(xué)家共同發(fā)明了晶體管,從而開(kāi)辟了現代電子時(shí)代,包括當今的LSI在內的全球性產(chǎn)業(yè)也由此誕生。       &nbs
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高密度IC設計中面臨的ASIC與FPGA的抉擇

  •   在過(guò)去10年間,全世界的設計人員都討論過(guò)使用ASIC或者FPGA來(lái)實(shí)現數字電子設計的好處。通常這些討論將完全定制IC的性能優(yōu)勢和低功耗與FPGA的靈活性和低NRE成本進(jìn)行比較。設計隊伍應當在A(yíng)SIC設計中先期進(jìn)行NRE投資,以最大限度地提高性能、降低尺寸以及降低大批量制造時(shí)的成本?或者設計隊伍應該為市場(chǎng)設計只有FPGA能夠提供的具有高度可配置功能、能夠快速完成任務(wù)的最終產(chǎn)品?   事實(shí)上,由于高密度IC設計面臨的日益嚴重的挑戰,上面的觀(guān)點(diǎn)并不重要。隨著(zhù)ASIC設計人員進(jìn)入每一個(gè)新的工藝過(guò)程,設計變得
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關(guān)于dbμV、dbm 、dbw

  •     在有線(xiàn)電視技術(shù)中我們常常遇到幾個(gè)信號參數的量值,這幾個(gè)量值是對數單位---分貝(db)。用分貝表示是為了便于表達、敘述和運算(變乘除為加減)。     分貝是表征兩個(gè)功率電平比值的單位,如A=10lgP2/P1=20lgU2/U1=20lgI2/I1。分貝制單位在電磁場(chǎng)強計量測試中的用法有如下三種:   1、表示信號傳輸系統任意兩點(diǎn)間的功率(或電壓)的相對大小。如一個(gè)CATV放大器,當其輸入電平為70dbμV時(shí),其輸出電平為100db
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asic 制造介紹

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