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串行Flash存儲器的編程解決方案

  • 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡(jiǎn)單,且運行
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基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě)

  • 基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě),1 引言

    在DSP系統的設計中,經(jīng)常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時(shí), 必須把一部分數據,如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中,從而節省DSP芯片內部
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基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計

  • 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構架的模數混合的FPGA,即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分,解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來(lái)的諸多問(wèn)題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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Flash單片機自編程技術(shù)

  • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲器模塊
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C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

  • C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器,由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器,屬于EEPROM器件,與其它的
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Flash越來(lái)越受到支持

  •   根據Ovum的分析,對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來(lái)越大的壓力,因為越來(lái)越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。   
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基于CAN總線(xiàn)的大容量漢字火災樓層顯示器設計

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實(shí)現方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設計及實(shí)現

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁(yè)級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時(shí)還提出了對flash的分區方法。
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MCU內嵌Flash內存成趨勢

  •   因應MCU成長(cháng)快速及程序數據儲存需要,MCU內嵌Flash內存設計成為主流趨勢,MCU大廠(chǎng)也紛紛以購并或結盟掌握內嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內嵌FlashIP制程技術(shù),為下一代FlashMCU帶來(lái)的技術(shù)變革。   
  • 關(guān)鍵字: MCU  Flash  

基于FLASH的嵌入式存儲系統設計

  • 基于FLASH的嵌入式存儲系統設計,1 引言

    FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其
  • 關(guān)鍵字: 系統  設計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

分析稱(chēng)臺系DRAM廠(chǎng)明年可望大幅增長(cháng)

  •   據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠(chǎng)中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片,明年上半年可達6萬(wàn)片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm,預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠,以品牌銷(xiāo)售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
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