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現代半導體獲Ovonyx授權 加入PRAM研發(fā)陣營(yíng)
- PRAM內存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫(xiě)入數據速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來(lái)高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現成為可能。 三星電子、IBM、奇夢(mèng)達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進(jìn)行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱(chēng)，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡(jiǎn)單許多，三星公司于去年開(kāi)發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預計最早可在2008年實(shí)現量產(chǎn)。 此外，IBM與多家內存廠(chǎng)商合作，共同開(kāi)發(fā)出一
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 現代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器
Ovonyx與奇夢(mèng)達簽訂相變內存技術(shù)許可協(xié)議
- Ovonyx公司與奇夢(mèng)達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢(mèng)達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利及知識產(chǎn)權的內存產(chǎn)品，簽訂長(cháng)期交叉許可協(xié)議。根據該協(xié)議規定，Ovonyx公司將大力支持奇夢(mèng)達相變內存產(chǎn)品開(kāi)發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開(kāi)發(fā)了PCRAM技術(shù)，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
- 關(guān)鍵字： Ovonyx 單片機 奇夢(mèng)達 嵌入式系統 相變內存技術(shù) 許可協(xié)議 存儲器
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ovonyx介紹
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