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nandflash 文章 進(jìn)入nandflash技術(shù)社區
西部數據將拆分NANDFlash部門(mén)與鎧俠合并
- 根據彭博社報導，在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的談判后，西部數據（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）即將達成協(xié)議。該協(xié)議的內容主要是分拆西部數據的NAND Flash快閃存儲器部門(mén)，然后進(jìn)一步與鎧俠合并。之后，西部數據的股東將控制合并后新公司約略超過(guò)一半的股權。不過(guò)，當前相關(guān)訊息仍在保密中。報導指出，兩家公司在談判時(shí)，有建議是將由鎧俠的團隊來(lái)主導合并后新公司的經(jīng)營(yíng)，不過(guò)西部數據高管也將發(fā)揮相對的重要輔助作用。而就目前情況來(lái)看，盡管雙方談判進(jìn)展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時(shí)間。而且，期間
- 關(guān)鍵字： 西部數據 NANDFlash 鎧俠
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠(chǎng)三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成?！ 髮е赋?，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長(cháng)江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠(chǎng)三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
淺析Nandflash燒錄技巧與方法
- Nandflash芯片以其高性?xún)r(jià)比，大存儲容量在電子產(chǎn)品中廣泛應用。但是，在此量大質(zhì)優(yōu)的應用領(lǐng)域，很多客戶(hù)卻痛苦于批量質(zhì)量問(wèn)題：專(zhuān)用工具無(wú)法滿(mǎn)足量產(chǎn)，量產(chǎn)工具卻可能出現極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢? 其實(shí)根本原因在于目前大部分用戶(hù)并不是很了解Nandflash燒錄的復雜性，他們常采用很直接的方法，即使用一顆能正常運行的NandFlash芯片作為母片，在連接編程器之后，點(diǎn)擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕，把數據從芯片里面完整讀取出來(lái)，然后再找幾顆空芯片，把數據重復寫(xiě)進(jìn)去。本以為可達到量產(chǎn)的目的，但實(shí)
- 關(guān)鍵字： Nandflash 燒錄
NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動(dòng)開(kāi)發(fā)
- NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動(dòng)開(kāi)發(fā),0 引 言
隨著(zhù)嵌入式系統的迅速發(fā)展，其應用環(huán)境的廣泛性，復雜性對構建于系統上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410 - 關(guān)鍵字： NandFLASH NorFLASH 接口設計 驅動(dòng)開(kāi)發(fā)
TrendForce：2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價(jià)格有機會(huì )走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷(xiāo)售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。 相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價(jià)格趨勢與供給狀況持續看漲、看緊。 TrendForce表示，就移動(dòng)存儲來(lái)看，智能手機應用的存儲零組件價(jià)格從2016年第三季開(kāi)始不斷攀升，以主流規格而言，到今年第四季價(jià)格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
- 關(guān)鍵字： UFS NANDFlash
東芝產(chǎn)能出現大幅損失純屬謠言，對第四季供貨影響有限
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，針對近期市場(chǎng)傳出東芝產(chǎn)能出現問(wèn)題，并致使產(chǎn)出晶圓損失高達10萬(wàn)片一事，經(jīng)調查與確認后，東芝產(chǎn)線(xiàn)確實(shí)遭遇到一些問(wèn)題，并致使整體產(chǎn)出量較原先預期少，但影響程度絕對遠低于外界所謠傳接近10萬(wàn)片的規模，且工廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)亦未出現停擺。對于東芝客戶(hù)而言，在第四季議價(jià)時(shí)所承諾的交貨數量也沒(méi)有受到直接沖擊。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此一事件后，不論對于第四季或是明年第一季的供需市況皆不會(huì )產(chǎn)生任何劇烈影響。對于現貨市場(chǎng)而言，在此消息傳出后并
- 關(guān)鍵字： 東芝 NANDFlash
2017年上半年全球半導體銷(xiāo)售金額同比增長(cháng)20.8%
- 近期以來(lái)，或許大家經(jīng)常會(huì )聽(tīng)到的就是因為半導體產(chǎn)業(yè)跨入一個(gè)成長(cháng)的波段，導致所有產(chǎn)品的價(jià)格上揚，使得諸如臺積電、韓國三星的全球性的大型半導體公司獲利豐碩，營(yíng)收屢創(chuàng )新高。至于，所謂的半導體當前熱潮，有哪些基本的數據可以來(lái)代表，下面這些數據或許可以來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明。 在當前半導體的熱季中，大家感受最強烈的莫過(guò)于存儲器的價(jià)格。也由于存儲器市場(chǎng)的供不應求，使得價(jià)格節節攀高，也讓韓國三星、SK海力士，日本東芝等國際大廠(chǎng)獲利滿(mǎn)滿(mǎn)。有市場(chǎng)調查機構統計，在快閃存儲器(NANDFlash)的價(jià)格部分，自2016年下半年起
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NANDFlash
2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(cháng)2%，而前十大半導體業(yè)者的營(yíng)收則成長(cháng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年營(yíng)收成長(cháng)動(dòng)能最強的產(chǎn)品，成長(cháng)幅度超過(guò)30%;車(chē)用半導體的市場(chǎng)規模也比2015年成長(cháng)9.7%。 IHS預期，由于市場(chǎng)需求強勁，2017年內存市場(chǎng)的營(yíng)收規?？赏賱?chuàng )新高，車(chē)用半導體市場(chǎng)的規模則有機會(huì )成長(cháng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現將出現穩健成長(cháng)。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
ARM開(kāi)發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍
- 實(shí)驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作?！ ?shí)驗環(huán)境及說(shuō)明：恒頤S3C2410開(kāi)發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！ ?shí)驗思路：開(kāi)發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開(kāi)始的4K數據復制到SRAM中，然后跳轉到0地址開(kāi)始執行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調用NandFlash讀函數操作
- 關(guān)鍵字： ARM NandFlash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內還分成扇區。讀寫(xiě)時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對N AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁(yè)，頁(yè) [ 查看詳細 ]
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