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nandflash 文章 進(jìn)入nandflash技術(shù)社區
基于PNX1501的NandFlash在線(xiàn)燒錄系統
- 隨著(zhù)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴大，閃存器無(wú)疑將獲得極大的增長(cháng)。這種增長(cháng)在很大程度上取決于存儲器的非易失性 ...
- 關(guān)鍵字： PNX1501 NandFlash 在線(xiàn)燒錄
SSD有望成為新半導體需求市場(chǎng)
- 隨著(zhù)NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續下滑，作為下一代存儲設備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤(pán))有望成為新的半導體市場(chǎng)需求。在2010年以后，SSD將會(huì )成為世界NANDFlash存儲市場(chǎng)中的主要品種，而各大存儲技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開(kāi)始正式展開(kāi)激烈的市場(chǎng)競爭。 市場(chǎng)規模將達100億美元 SSD是利用現有的DRAM和NANDFlash等存儲技術(shù)和控制器來(lái)制作的下一代存儲設備。與競爭產(chǎn)品HDD(硬盤(pán)驅動(dòng)器)相比，SSD具有安全性高、功耗低、數據傳送速度快、無(wú)機械噪
- 關(guān)鍵字： NANDFlash SSD
SSD將成為新的半導體需求市場(chǎng)
- 為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐，2008年半導體生產(chǎn)設備、材料、零部件行業(yè)將出現新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù)，挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎的重任。 挑戰微細化納米技術(shù) 最近發(fā)表的ITRS(國際半導體技術(shù)藍圖)深入分析了今后15年半導體技術(shù)發(fā)展方向。 回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡，我們發(fā)現，人們除了把目光聚集到High-k門(mén)極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外，還格外關(guān)注存儲器與微機電系統(MEMS)間的對話(huà)。2007年11月在夏威夷召開(kāi)的ITPC(半
- 關(guān)鍵字： NANDFlash
基于Nandflash的Bootloader的設計與實(shí)現
- 文章詳細說(shuō)明了從Nandflash引導操作系統要完成的主要任務(wù)和實(shí)現方法，并給出了在S3C2410上實(shí)現Nandflash啟動(dòng)的試驗結果。
- 關(guān)鍵字： Bootloader Nandflash
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內還分成扇區。讀寫(xiě)時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對N AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁(yè)，頁(yè) [ 查看詳細 ]
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