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三星3納米超車(chē)臺積電?重要數據曝光!結局出乎意料

  • 臺積電在4月中的法說(shuō)會(huì )曾透露,預計今年下半年量產(chǎn)3納米,2納米制程的量產(chǎn)時(shí)間則落在2025年,沒(méi)想到三星上周公開(kāi)表示,公司將在未來(lái)幾周內量產(chǎn)3納米。若此事成真,三星將搶先臺積電量產(chǎn)3納米,然而三星在制程利率的問(wèn)題仍是外界關(guān)注焦點(diǎn),先前有外媒披露,三星3納米的良率最高僅2成,迫使部分IC 設計大廠(chǎng)選擇轉單至臺積電??萍季W(wǎng)站Tom's Hardware報導,三星上周發(fā)出一份公開(kāi)聲明,內容提到公司將透過(guò)世界上首次大規模生產(chǎn)3納米GAA技術(shù)來(lái)加強技術(shù)在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的地位,有望在本季,即未來(lái)幾周內開(kāi)始量產(chǎn)。另一
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臺積電擬“風(fēng)險生產(chǎn)”3納米芯片 2022年下半年量產(chǎn)

  • 1月16日,蘋(píng)果芯片代工廠(chǎng)商臺積電高管證實(shí),該公司將按計劃在2021年開(kāi)始危險生產(chǎn)3納米Apple Silicon芯片,并在2022年下半年全面量產(chǎn)。早在2020年7月份就有報道稱(chēng),臺積電接近敲定其3納米芯片生產(chǎn)工藝,現在該公司有望在2021年開(kāi)始所謂的“風(fēng)險生產(chǎn)”?!帮L(fēng)險生產(chǎn)”是指原型已經(jīng)完成并進(jìn)行了測試,但還沒(méi)有到批量生產(chǎn)最終產(chǎn)品的階段。這可以幫助揭示與規?;a(chǎn)有關(guān)的問(wèn)題,當這些問(wèn)題得到解決后,全面生產(chǎn)就可以開(kāi)始。此前的報道稱(chēng),蘋(píng)果已經(jīng)買(mǎi)下了臺積電全部3納米的產(chǎn)能,因此幾乎可以肯定的是,蘋(píng)果將為Ma
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新思科技攜手三星加快3納米節點(diǎn)設計的收斂和簽核

  • 雙方合作包括多個(gè)簽核域和跨庫特征提取,以加速設計收斂 簽核解決方案的創(chuàng )新能夠解決從5納米到3納米的獨特挑戰,以確保簽核準確性,并將運行速度提高20倍、內存消耗減少50% ECO迭代減少5倍、提高硬件效率,從而提高客戶(hù)的生產(chǎn)效率 新思科技(Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼:SNPS)近日宣布,憑借其行業(yè)領(lǐng)先的黃金簽核產(chǎn)品組合, 公司已與三星晶圓廠(chǎng)展開(kāi)合作,以實(shí)現經(jīng)過(guò)充分認證的流程,顯著(zhù)提升準確性、周轉時(shí)間和開(kāi)發(fā)者生產(chǎn)效率。針對5G、人工智能和高性能計算S
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臺積電公布3納米光刻規劃及未來(lái)路線(xiàn)

  • 臺積電昨天召開(kāi)了第一次虛擬技術(shù)研討會(huì ),公布了3納米光刻及未來(lái)路線(xiàn)計劃。過(guò)去幾年,臺積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當,在半導體領(lǐng)域占據了領(lǐng)導地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后,臺積電正抓住機會(huì ),以行業(yè)領(lǐng)導者的身份繼續“攻城略地”。據臺積電高級副總裁米玉杰表示,該公司有計劃繼續提供有意義的節點(diǎn)改進(jìn),直到N3及以下??偟膩?lái)說(shuō),7納米得到了一系列產(chǎn)品系列的支持,而不僅僅是單一的芯片類(lèi)型或類(lèi)別,它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來(lái),關(guān)于N5和N6節點(diǎn)的一些更新。根據臺積電的說(shuō)法,N6比N5的邏輯密
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三星用3納米制程和臺積電正面對決

  • 臺積電與三星在7納米以下先進(jìn)制程競爭激烈,據外媒報導,傳出三星放棄4納米制程,直接從5納米殺進(jìn)3納米,跟臺積電正面對決,至于臺積電5納米今年第2季已量產(chǎn),而三星5納米明年初才可能放量生產(chǎn),可見(jiàn)臺積電技術(shù)仍領(lǐng)先三星1年。臺積電近幾年在先進(jìn)制程領(lǐng)先業(yè)界,7納米和5納米率先量產(chǎn),國際大客戶(hù)搶著(zhù)下單,產(chǎn)能更是滿(mǎn)載,從2016年起,連續為蘋(píng)果獨家代工A系列處理器。三星雖然曾為蘋(píng)果A系列處理器代工,但2015年蘋(píng)果iPhone 6s系列采用A9處理器,由三星14納米製程打造,在耗能方面竟高于臺積電16納米所生
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微縮實(shí)力驚人 臺積3納米續沿用FinFET晶體管制程

  • 由于世界前兩大的半導體廠(chǎng)都相繼宣布投入GAA的懷抱,因此更讓人篤定,也許3納米將會(huì )是GAA的時(shí)代了,因為至3納米制程,FinFET晶體管就可能面臨瓶頸,必須被迫進(jìn)入下個(gè)世代。
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李在镕:三星計劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

  • 據悉,三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導人李在镕(Lee Jae-yong)討論了三星利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片的戰略計劃。
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臺積電殺進(jìn)3納米 決戰三星

  • 臺積電在7納米、5納米制程完封三星后,目前更加快3納米研發(fā),以延續領(lǐng)先地位,不讓對手三星有先縫插針搶單的機會(huì ),據電子時(shí)報報導,臺積電3納米傳出提前啟動(dòng),位于南科30公頃用地,可望提前4個(gè)月、預計于今年底即可完成交地,擺明就是沖著(zhù)三星而來(lái)。
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臺積電3納米環(huán)評初審過(guò)關(guān) 2納米或在2025年前問(wèn)世

  • 為迎接臺積電3納米廠(chǎng)研發(fā)及先期量產(chǎn),中國臺灣地區環(huán)保署11日初審通過(guò)竹科寶山用地擴建計劃。另臺積電在會(huì )中首度透露,預計把5年后的2納米廠(chǎng)研發(fā)及量產(chǎn)都落腳在竹科,以避免研發(fā)人才散掉或外流的風(fēng)險。
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臺積電:3納米芯片工廠(chǎng)地址首選臺灣 美國次之

  •   北京時(shí)間6月8日晚間消息,全球最大代工廠(chǎng)商臺積電今日表示,其3納米芯片工廠(chǎng)地址將首先考慮臺灣,其次才是美國。   臺積電還稱(chēng),目前,臺灣地區政府正在幫助臺積電尋找理想的建廠(chǎng)地點(diǎn)。臺積電發(fā)言人伊麗莎白·孫(Elizabeth Sun)稱(chēng):“我們不排除在其他國家和地區選址,但臺灣是第一選擇。”   臺積電之前曾表示,明年上半年將做出最終的決定。受美國新總統特朗普(Donald Trump)新政策的吸引,富士康和軟銀等均表示加大在美國的投資力度。   臺積電董事長(cháng)
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3納米介紹

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