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2納米
2納米 文章 進(jìn)入2納米技術(shù)社區
不止2納米，Rapidus還計劃興建1nm制程芯片廠(chǎng)？
- 為重振日本半導體，由索尼集團和NEC等8家科技大廠(chǎng)共同投資的合資企業(yè)Rapidus計劃到2025年在日本制造出尖端的2nm芯片。近日，Rapidus表示，不止2nm，還將向1nm進(jìn)軍。據日媒報道，近期在媒體圓桌會(huì )議中，Rapidus社長(cháng)小池淳義說(shuō)明了北海道千歲市新廠(chǎng)興建計劃和員工招聘情況。據悉，該千歲廠(chǎng)將興建2棟以上的廠(chǎng)房，且除了2nm之外，也將興建1nm制程芯片廠(chǎng)房。預計2027年開(kāi)始IIM 1(第1棟廠(chǎng)房)將生產(chǎn)2nm芯片，而IIM 2(第2棟廠(chǎng)房)將生產(chǎn)1nm產(chǎn)品。之后也考慮將廠(chǎng)房數擴增至3-4
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2納米制程再接大單？傳超威Zen 6微架構交由臺積電代工
- 處理器大廠(chǎng)超威（AMD）預計在2024年推出下一世代Zen 5處理器微架構，今年第一季正式展開(kāi)全新Zen 6處理器（CPU）核心架構開(kāi)發(fā)，根據在LinkedIn發(fā)布的職缺訊息，Zen 6將采用臺積電2納米制程，CPU推出時(shí)程預計落在2026年之后。不過(guò)，目前我們無(wú)法在超威官方產(chǎn)品藍圖找到Zen 6的身影，超威僅透露至Zen 5計劃，上一份藍圖可追溯到2022年6月，顯示超威預計將在2024年推出Zen 5，因此Zen 6可能要到2025年甚至更晚才能進(jìn)入零售市場(chǎng)。根據先前超威高端芯片設計工程師Md Zah
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性能提高44%，三星計劃2納米制程加入背后供電技術(shù)
- 在與臺積電的競爭之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構，已成功量產(chǎn)，照三星半導體藍圖分析，2025年大規模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)1.4納米預定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報導，三星計劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò )(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術(shù)論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細節。從過(guò)去高K金屬柵極技術(shù)到FinFET，接著(zhù)邁向MBCFET，再到BSPDN，FinFET仍是半導體制程最主流技術(shù)，之前稱(chēng)為3
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臺積電要被拋棄了？美日連手研發(fā)2納米 背后原因曝光
- 全球芯片荒問(wèn)題難解，使得多項產(chǎn)業(yè)都面斷鏈危機，為了避免經(jīng)濟持續受到?jīng)_擊，各國紛紛尋求芯片自主，分散芯片制造過(guò)度依靠亞洲的風(fēng)險。日媒今（3日）披露，日本與美國有意深化在先進(jìn)制程上的合作，并考慮合作生產(chǎn)2納米芯片為首要目標，盼能減少對臺積電、三星等臺韓廠(chǎng)商的依賴(lài)。日經(jīng)亞洲評論報導，美國與日本政府已接近談妥生產(chǎn)2奈米芯片的合作，同時(shí)他們也在研究一個(gè)運作模式，不只要防止技術(shù)泄漏更將大陸因素考慮在內。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩田晃一已經(jīng)啟程訪(fǎng)問(wèn)美國，行程將會(huì )見(jiàn)美國商務(wù)部長(cháng)雷蒙多（Gina Raimondo）雙方交流的同時(shí)，
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臺積電憑什么敢說(shuō)5年能進(jìn)入2納米
- 科技部長(cháng)陳良基昨(9)日表示，半導體為產(chǎn)業(yè)競爭力核心，臺積電10納米制程已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米，屆時(shí)將面臨物理極限，必須要透過(guò)基礎研究突破。 陳良基昨在行政院新首長(cháng)上任聯(lián)合記者會(huì )上表示，上任后將推動(dòng)3件工作，第一支援學(xué)術(shù)研究;第二提振與推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新，將相關(guān)技術(shù)透過(guò)研究轉化成產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品;第三建置國內相關(guān)科技研究環(huán)境，支持及維運科學(xué)園區發(fā)展。 他強調，負責科研獎助的科技部并非冷門(mén)單位，他所提供的研究是與民眾未來(lái)切身相關(guān)的產(chǎn)品，例如目前手機上的虛擬實(shí)境與未
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2納米時(shí)代 學(xué)界基礎研究助力突破物理極限
- 臺灣科技部長(cháng)陳良基今天表示，美國特斯拉總裁伊隆 馬斯克(Elon Musk)已對外表示，2030年將送人類(lèi)到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì )有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì )有一個(gè)機器人，這些科技創(chuàng )新都在美國硅谷，因此臺灣學(xué)界必須與硅谷連結，半導體作為產(chǎn)業(yè)競爭力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎研究突破。 陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新與建置科技研究環(huán)境，他強調，負責科研獎助的
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半導體五年內進(jìn)入將2納米，臺灣欲靠基礎研究突破物理極限
- 臺灣科技部長(cháng)陳良基今天表示，美國特斯拉總裁伊隆?馬斯克(Elon Musk)已對外表示，2030年將送人類(lèi)到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì )有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì )有一個(gè)機器人，這些科技創(chuàng )新都在美國矽谷，因此臺灣學(xué)界必須與硅谷連結，半導體作為產(chǎn)業(yè)競爭力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎研究突破。 陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新與建置科技研究環(huán)境，他強調，負責科研獎助的
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