EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
16nm
16nm 文章 進(jìn)入16nm技術(shù)社區
聯(lián)發(fā)科的隱憂(yōu)：高端智能機賣(mài)不動(dòng) 中低端熱銷(xiāo)
- TSMC臺積電昨天舉行法人說(shuō)明會(huì )，2016年Q1季度營(yíng)收2035億新臺幣，營(yíng)收下降了8.3%，并下調了全年預測。臺積電表示由于智能手機市場(chǎng)不如預期，16nm及20nm等先進(jìn)制程所占的營(yíng)收為23%，而28nm工藝熱銷(xiāo)程度并沒(méi)有減弱，全年利用率依然可維持在90%以上。在這背后是因為智能手機市場(chǎng)上高端機賣(mài)不動(dòng)，中低價(jià)手機熱銷(xiāo)，聯(lián)發(fā)科成為中低端智能手機處理器的最大贏(yíng)家，恐怕又要流著(zhù)淚數錢(qián)了。 28nm工藝已經(jīng)不是最先進(jìn)的制程工藝了，但它在TSMC的營(yíng)收比重中并沒(méi)有減少，今年也持續受寵，說(shuō)明智能手機市場(chǎng)已
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)科 16nm
臺積電16nm通吃蘋(píng)果/高通/聯(lián)發(fā)科芯片訂單 展現超強整合能力
- 臺積電先進(jìn)制程火力全開(kāi)，本季除以16納米制程大舉投片蘋(píng)果A10處理器外，也針對聯(lián)發(fā)科和高通等手機芯片拓展中低階客戶(hù)，提供更具成本效能的16納米FFC制程，并導入臺積電籌備已久的整合型扇出型封裝(InFO)對外接單，展現從設計、制造到后段封裝超強的整合能力。 臺積電不對單一客戶(hù)置評。外資估算，臺積電今年為蘋(píng)果A10處理器出貨的12寸晶圓上看20萬(wàn)片，營(yíng)收貢獻是去年的五倍，預估臺積電第3季合并營(yíng)收季增率可達15%，成長(cháng)動(dòng)能相當強勁。 不過(guò)，由于206南臺強震后引發(fā)的晶圓產(chǎn)能卡位戰已告一段落，市
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電16nm制程Q3投產(chǎn) 蘋(píng)果海思首發(fā)
- 隨著(zhù)臺積電揭曉7月份營(yíng)收表現，其中同時(shí)透露旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期于今年第三季內投入量產(chǎn)，預期將用于代工量產(chǎn)華為旗下海思半導體新款Kirin 950處理器，同時(shí)也將協(xié)助量產(chǎn)蘋(píng)果A9處理器。 根據臺積電公布7月份營(yíng)收表現，顯示整體營(yíng)收達新臺幣809.5億元，相比去年同期成長(cháng)24.7%，同時(shí)相比6月則成長(cháng)35%，創(chuàng )下臺積電有史以來(lái)第二高營(yíng) 收記錄。此外，臺積電也強調旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期在今年第三季內投入量產(chǎn)，因此預期華為旗下海思半導體新款Kir
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電明年第二季度量產(chǎn)16nm制造工藝
- 日前，臺積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露，將于2015年第二季度或第三季度初量產(chǎn)16nm FinFET制造工藝，從而成為僅次于Intel 14nm的最先進(jìn)制造技術(shù)。據悉，尋求臺積電代工的客戶(hù)已經(jīng)超過(guò)60家，而蘋(píng)果的下一代移動(dòng)處理器A9就將采用這種工藝。臺積電另一位聯(lián)席CEO劉德音(音譯)爆料稱(chēng)，該公司將于2015年完成10nm工藝的流片，2016年投入商業(yè)性量產(chǎn)，目前已有10位客戶(hù)參加了10nm工藝的研發(fā)。 不過(guò)，考慮到臺積電在今年初才開(kāi)始量產(chǎn)20nm工藝，如果上述計劃落實(shí)，那么其將實(shí)現連續
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電16nm制程大熱：海思量產(chǎn) 蘋(píng)果試投
- 臺積電最近助海思半導體(HiSilicon)成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構網(wǎng)絡(luò )芯片，設備廠(chǎng)透露，這項成就宣告臺積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。 此外，臺積電也正式向英特爾宣戰，目標是二年內在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結等二要項都超越英特爾，將讓臺積電稱(chēng)冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。 臺積電16nm制程超越英特爾三星：幫海思量產(chǎn)，讓蘋(píng)果試投 臺積電16nm制程超越英特爾三
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
蘋(píng)果新款處理器Q4臺積電16nm制程試產(chǎn)
.jpg)
- 臺積電16奈米先進(jìn)制程布局計畫(huà) 晶圓代工龍頭臺積電(2330)全力沖刺16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程，昨(25)日宣布與海思半導體(HiSilicon)合作，成功率先產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET制程及ARM架構為基礎且功能完備的網(wǎng)通處理器。業(yè)者分析，臺積電16奈米FinFET制程投產(chǎn)成功，可望提前一季度時(shí)間，在今年第4季進(jìn)入量產(chǎn)階段。 同時(shí)根據設備業(yè)者消息，臺積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片(try run)先前作業(yè)階段，可望提前至第4季試產(chǎn)，主要客戶(hù)除
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 16nm
陸行之：臺積16nm制程 牽動(dòng)蘋(píng)果A9訂單
- 臺積電16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)若提前1季、至明年第二季，除了拿下極具指標意義的蘋(píng)果A9訂單機率大增外，預估明年將帶來(lái)15億美元營(yíng)收，且占第三季與第四季營(yíng)收比重將快速攀升、分別為5%與12%。 巴克萊資本證券亞太區半導體首席分析師陸行之認為，臺積電16奈米FinFET若提前量產(chǎn)，將享「加乘效果」，因為20與16奈米制程有95%的設備可以互相轉換，有助于16奈米良率的攀升，因此預計最快從明年第四季起就可透過(guò)16奈米取得市占率優(yōu)勢。 盡管臺積電昨天股價(jià)并未反應這項傳聞，仍小跌0
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
張忠謀：臺積電16nm產(chǎn)品線(xiàn)落后對手
- 最近諸多行業(yè)專(zhuān)家分析的結果是：2015年臺積電可能會(huì )失去部分16納米和14納米的市場(chǎng)份額。 據猜測，臺積電很可能在2015年16和14納米競爭中會(huì )失去很多訂單，根據該公司董事長(cháng)張忠謀透露臺積電16納米可能落后他們的對手了。而三星早就先行一步搶到了高通大部分訂單，而工藝更可靠。臺積電目前還在和蘋(píng)果單獨合作。雖然三星在高通那邊的訂單僅僅是手機SOC和基帶芯片，根本沒(méi)有什么GPU。 張忠謀還強調，20納米和16納米在未來(lái)三年將成為最為主要的晶圓廠(chǎng)部分。而2014年第三季度中，20納米制程產(chǎn)品將在
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠(chǎng)貢獻比已36%
- 臺積電3日對媒體展示14廠(chǎng)區域規劃與新進(jìn)完整布局;臺積電發(fā)言人孫又文表示，臺積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競爭對手，而超超大晶圓14廠(chǎng)去年貢獻比已36%，南科廠(chǎng)區全部貢獻占比則42%。據臺積電指出，14廠(chǎng)P1至4期的營(yíng)業(yè)額已在2012年占臺積電營(yíng)業(yè)額達到36%。而南科廠(chǎng)區全部貢獻占比42%。臺積電14廠(chǎng)P1至P4是4個(gè)足球場(chǎng)大面積;而外界關(guān)注未來(lái)臺積電20/16奈米產(chǎn)出后，14廠(chǎng)的營(yíng)收貢獻比重。 臺積電發(fā)言人孫又文回應提問(wèn)表示，臺積電16奈米是20奈米制程的延伸，20奈米明年第一季量產(chǎn)，而16奈米
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電16nm OIP 3套參考流程確立
- 臺積電宣布16奈米OIP3套全新參考設計流程確立。 臺積電17日宣布，在開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)架構下成功推出3套全新經(jīng)過(guò)矽晶驗證的參考流程，協(xié)助客戶(hù)實(shí)現16FinFET系統單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設計;同時(shí)更可提供客戶(hù)即時(shí)靈活、創(chuàng )新、客制化的設計生態(tài)環(huán)境進(jìn)而提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能。 臺積電16奈米制程開(kāi)發(fā)馬不停蹄，自今年4月與ARM共同宣布，完成首件采用16奈米FinFET制程ARMCortex-A57處理器設計定案能進(jìn)一步提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
臺積電16nm OIP 3套參考流程確立
- 臺積電宣布16奈米OIP 3套全新參考設計流程確立。 臺積電17日宣布，在開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)架構下成功推出3套全新經(jīng)過(guò)矽晶驗證的參考流程，協(xié)助客戶(hù)實(shí)現16FinFET系統單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設計;同時(shí)更可提供客戶(hù)即時(shí)靈活、創(chuàng )新、客制化的設計生態(tài)環(huán)境進(jìn)而提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能。 臺積電16奈米制程開(kāi)發(fā)馬不停蹄，自今年4月與ARM共同宣布，完成首件采用16奈米FinFET制程ARM Cortex-A57處理器設計定案能進(jìn)一步提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能，包括高階
- 關(guān)鍵字： 臺積電 16nm
緊追賽靈思16nm量產(chǎn)進(jìn)度 Altera明年投產(chǎn)14nm
- Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動(dòng)量產(chǎn)。面對賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程，生產(chǎn)首批現場(chǎng)系統單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA)，Altera亦不干示弱，于日前宣布將于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA測試晶片，預計于2014年正式投產(chǎn)14奈米SoC FPGA。 Altera資深產(chǎn)品行銷(xiāo)總監Patrick Dorsey表示，Altera正借助更先進(jìn)奈米制程和
- 關(guān)鍵字： Altera 16nm
16nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條16nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對16nm的理解，并與今后在此搜索16nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對16nm的理解，并與今后在此搜索16nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473