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16nm
16nm 文章 進(jìn)入16nm技術(shù)社區
英特爾ARM之戰:硅谷巨無(wú)霸對決劍橋蠻荒者
- 彭博商業(yè)周刊近日評論稱(chēng),英特爾X86架構以超強的運算能力在計算領(lǐng)域占據統治地位,ARM架構計算能力稍弱但解決了功耗問(wèn)題,成為通信領(lǐng)域主流架構,幾年內英特爾與ARM在計算與通信領(lǐng)域分河而治。 但隨著(zhù)智能手機和平板電腦市場(chǎng)越來(lái)越壯大,雙方都不甘心固守邊界。今年英特爾攜雷霆之勢大舉進(jìn)軍移動(dòng)市場(chǎng),意圖挑戰ARM的統治地位。而ARM也一改PC領(lǐng)域“悄悄打槍”的作風(fēng),在今年10月推出了兩款64位處理器,高調進(jìn)軍服務(wù)器市場(chǎng)。 2012年,雙方都越過(guò)了傳統的邊界。英特爾希望將PC服
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臺積電工藝加速 16nm工藝年內試產(chǎn)
- 隨著(zhù)移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,業(yè)界對更高的半導體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導體代工市場(chǎng)的老大,臺積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠(chǎng)商的產(chǎn)品,因此臺積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前,臺積電宣布已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底,并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。 在年初舉行的半導體大會(huì )上,臺積電就展示了其FinFET工藝晶圓,不過(guò)當時(shí)臺積電并沒(méi)有透露FinFET工藝計劃將提前。 臺積電首席技術(shù)官孫元成(JackSu
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性能提升90% 臺積電16nm工藝芯片明年上馬
- 在芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)的當下,所有的芯片廠(chǎng)商都在不遺余力的改進(jìn)自身的產(chǎn)品工藝,臺積電已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底,甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造。GlobalFoundries、三星電子這兩家代工廠(chǎng)也都已經(jīng)宣布很快就會(huì )上馬FinFET立體晶體管技術(shù)。 只要試產(chǎn)的良品率過(guò)關(guān),臺積電量產(chǎn)16nm的計劃估計最早會(huì )在明年年中實(shí)現。臺積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)日前表示:“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃
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16nm介紹
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