ARM與臺積電攜手完成16nm FinFET工藝測試

　　對于英特爾來(lái)說(shuō)，要想在移動(dòng)芯片市場(chǎng)多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款Atom SoCs——舉例來(lái)說(shuō)——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統的(基于平面晶體管結構的)芯片相比，新架構使得芯片可以在較低的電壓水平上，更有效率地運作——在降低能耗的同時(shí)，更能延長(cháng)系統的續航時(shí)間。

　　至于半導體行業(yè)中的其它公司，已經(jīng)在向3D晶體管工藝(更常用的稱(chēng)呼為“FinFETs”)遷移的過(guò)程中，落后于英特爾。

　　如果沒(méi)有這種新的結構，那么向28nm以下制程遷移的過(guò)程就會(huì )變緩。其中一部分原因為，隨著(zhù)平面型晶體管(planar transistor)變得更小，其能源效率和成本就變得不那么有吸引力。

　　幸運的是，貌似領(lǐng)先的芯片代工廠(chǎng)——臺積電(TSMC)——已經(jīng)在部署16nm FinFETs的工藝上，取得了不錯的進(jìn)展。

　　今天，TSMC與ARM披露了兩家公司已經(jīng)在去年年底進(jìn)行了一個(gè)相當復雜的測試芯片，并且是基于臺積電的16nm FinFET工藝打造的!

　　該芯片包括了雙核Cortex-A57和四核Cortex-A53 CPU核心——基于相似的big.LITTLE不對稱(chēng)方案——主要面向消費級SoC。這一發(fā)展也將助力ARM和TSMC開(kāi)辟出SoC設計的新道路。

　　ARM的公告稱(chēng)，TSMC的16nm FinFET工藝，有著(zhù)激動(dòng)人心的好處：“在相同的總能耗下，芯片設計的速度可以快上>40%，或者比28nm制程節省>55%的總能耗”。

　　這一公告與英特爾的“22nm三柵極制程比之32nm工藝的優(yōu)勢”如出一轍。臺積電預計，在2014年的時(shí)候，采用其16nm FinFET工藝的客戶(hù)將有望超過(guò)20家。