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1.4納米
1.4納米 文章 進(jìn)入1.4納米技術(shù)社區
AMD4納米棄三星選臺積電 原因曝光
- 三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據科技媒體wccftech報導，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺積電，以4納米制程生產(chǎn)EPYC服務(wù)器中央處理器。三星晶圓代工事業(yè)面臨大挑戰，根據報導，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務(wù)器，轉給臺積電美國亞利桑那州新廠(chǎng)以4納米生產(chǎn)，臺積電美國廠(chǎng)接單頻傳喜訊，包括蘋(píng)果、輝達等都宣布要在該廠(chǎng)區投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務(wù)器處理器轉交給臺積電美國亞利桑那州廠(chǎng)生產(chǎn)。 目前還不知超微轉單理由，但推測是三星晶圓代工事業(yè)表現差
- 關(guān)鍵字： AMD 4納米 三星 臺積電
4納米芯片在美量產(chǎn)，臺媒：臺積電正“去臺化”，許多決定已非臺灣所能左右
- 【環(huán)球時(shí)報綜合報道】繼臺積電日本首座晶圓廠(chǎng)2024年年底開(kāi)始量產(chǎn)后，臺積電美國廠(chǎng)也正式加入投產(chǎn)行列。據臺灣《聯(lián)合報》1月12日報道，美國商務(wù)部長(cháng)雷蒙多近日對英國路透社透露，臺積電最近幾周已開(kāi)始在美國亞利桑那州廠(chǎng)為美國客戶(hù)生產(chǎn)先進(jìn)的4納米芯片。她還說(shuō)，這是美國史上首度在本土由美國勞工制造先進(jìn)的4納米芯片，良率和質(zhì)量可媲美臺灣。路透社稱(chēng)，臺積電去年4月同意將原先計劃的投資金額增加250億美元至650億美元，并于2030年前在亞利桑那州興建第三座晶圓廠(chǎng)。去年11月，美國商務(wù)部敲定66億美元補助款，資助臺積電美國
- 關(guān)鍵字： 4納米 芯片 美量產(chǎn) 臺積電
中國大陸4納米手機芯片快來(lái)了？
- 中國大陸積極扶植國內半導體業(yè)發(fā)展，據報道兩家中國大陸大廠(chǎng)包括紫光展銳、小米的4納米手機芯片都流片成功，代表離陸產(chǎn)4納米芯片不遠了。紫光展銳和小米都采用國外IP核心ARM、IMG打造國產(chǎn)芯片，預計這2款芯片進(jìn)行規?；瘧煤?，有機會(huì )突破高通和聯(lián)發(fā)科在手機芯片壟斷的局面?？萍疾┲鳌付ń箶底帧贡硎?，紫光展銳4納米芯片已Tape Out（送交制造），這款芯片采用X1大核、A78中核、A55小核，GPU采用Mali G715 MC7，性能達到高通驍龍888的水平。另一博主「Oneline科技」透露，小米自研芯片成果已
- 關(guān)鍵字： 4納米 手機芯片 紫光展銳 小米
臺積電準備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來(lái)談?wù)勁_積電的 A14，或者說(shuō)被許多分析師稱(chēng)為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開(kāi)始開(kāi)發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開(kāi)始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(cháng)的路要走，很可能會(huì )在 2 納米和 1.8 納米節點(diǎn)之后出現，這意味著(zhù)你可以預期它至少會(huì )在未來(lái)五年甚至更長(cháng)的時(shí)間內出現。著(zhù)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
先進(jìn)制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒
- 據韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開(kāi)始大規模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱(chēng)，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開(kāi)始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時(shí)間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)的半導體工藝制程為3納米，但市場(chǎng)主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠(chǎng)商主要
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晶圓代工大廠(chǎng)公布五年發(fā)展規劃，1.4納米芯片量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動(dòng)，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點(diǎn)。在上述晶圓代工系列活動(dòng)上，三星對外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來(lái)五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規劃。豪賭先進(jìn)制程：2025年2nm、2027年1.4nm！今年6月，三星率先啟動(dòng)了基于GAA(全環(huán)繞柵極）架構的3nm制程芯片生產(chǎn)。未來(lái)三星將繼續提升GAA相關(guān)技術(shù)，并將其導入2nm和1.7nm節點(diǎn)工藝。按照規劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進(jìn)制程工藝技術(shù)，到202
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TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠(chǎng)放任客戶(hù)編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì )謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場(chǎng)就出現了這種情況，當時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠(chǎng)都放任客戶(hù)聲稱(chēng)他們采用了4納米工藝，而實(shí)際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠(chǎng)。而這背后，也意味著(zhù)晶體管發(fā)展的緩慢。這個(gè)問(wèn)題最初始于三星。在與臺積電下一個(gè)節點(diǎn)的長(cháng)期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節點(diǎn)之間用兩年時(shí)間，在2
- 關(guān)鍵字： TechInsights 代工廠(chǎng) 制造工藝 謊言 5納米 4納米 3納米
Intel工藝展望：2022年邁向4納米
- Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術(shù)會(huì )議，內容頗為豐富，涉及半導體技術(shù)現狀與未來(lái)、Nehalem微架構、ATM主動(dòng)管理技術(shù)、Anti-Thefe防盜技術(shù)、My WiFi無(wú)線(xiàn)技術(shù)等等。 其中有關(guān)半導體制造工藝的展望引起了我們的特別關(guān)注。近十幾年來(lái)，Intel以每?jì)赡晟壱淮蔚乃俣葟?.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經(jīng)了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個(gè)世代，并帶來(lái)了多種技術(shù)革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內部互聯(lián)材料從鋁到銅、通道從硅到應變硅
- 關(guān)鍵字： Intel 4納米 晶圓 32納米
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1.4納米介紹
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