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?摩爾定律 文章 進(jìn)入?摩爾定律技術(shù)社區
下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？
- Imec 開(kāi)發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續到超越 5nm 節點(diǎn)… 根據比利時(shí)研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴展到超越5納米(nm)節點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec開(kāi)發(fā)的下一代5nm 2D通道
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半導體耦合多量子點(diǎn)量子比特器件研究取得重要進(jìn)展
- 在不遠的將來(lái)，摩爾定律所預示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)科研人員利用納米技術(shù)尋求一個(gè)完全基于量子效應的信息處理方案。經(jīng)過(guò)近二十年的發(fā)展，半導體量子點(diǎn)自旋比特固態(tài)器件以其可調控性和可擴展性成為最具應用潛力的固態(tài)量子計算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導體器件工藝等多個(gè)研究方向的前沿交叉研究領(lǐng)域。 近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點(diǎn)實(shí)驗室“千人計劃”教授
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摩爾定律能“活”到2025年以后 中國半導體趕超有望
- 在摩爾定律依然延續的今天，中國IC制造工藝與世界先進(jìn)工藝如何縮小，這是不得不思考的問(wèn)題。IMEC中國區總裁丁輝文近日指出，半導體工藝尺寸的縮小和摩爾定律仍能持續發(fā)展到2025年以后，中國半導體若能善用國際和國內資源，有機會(huì )在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。 多元化應用需要多元化半導體技術(shù) 丁輝文認為，講摩爾定律，其實(shí)首先是應用推動(dòng)了芯片的成長(cháng)，而在應用當中，主要是IoT、移動(dòng)通訊、云端服務(wù)這三大應用市場(chǎng)。這三大應用對半導體器件有不同的要求：一是IoT應用，功耗在1mW到100mW;二是移動(dòng)通訊部分
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模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對數字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現象可能正在改變?！ ∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘柦鉀Q方案過(guò)去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統應用中，在系統中第一次產(chǎn)生了模數轉換過(guò)程?！ ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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延續摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開(kāi)始導入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準備。 盡管目前EUV設備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對有力的解決方案。 每一季的臺積電法說(shuō)會(huì )上，張忠謀董事長(cháng)或是共同執行長(cháng)對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì )對臺下觀(guān)眾做一專(zhuān)門(mén)的報告，法人代表對于EUV的導入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來(lái)發(fā)展甚至
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摩爾定律之后 存儲器發(fā)展要靠大數據、AI？
- 半導體供應鏈存儲器缺貨絕對是橫貫2017年的主調，但除了量變，大數據中心、AI深度學(xué)習運算帶來(lái)對CPU與AI處理器的運算速度、存儲容量高門(mén)檻要求，也正在改變整個(gè)存儲器乃至于運算基礎核心架構。 在近日一場(chǎng)GSA存儲器高峰論壇上，半導體與數據平臺、服務(wù)器領(lǐng)域與會(huì )人士對上述議題展開(kāi)熱議。 西數(Western Digital)董事長(cháng)兼COO Mike Cordano提到，未來(lái)存儲產(chǎn)業(yè)仍然機會(huì )巨大，占整個(gè)IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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壯哉！“中國造”光量子計算機誕生
- 計算機作為20世紀最偉大的發(fā)明之一，隨著(zhù)摩爾定律邁向終結，性能提升面臨瓶頸。后摩爾定律時(shí)代，我們又要通過(guò)什么途徑提高運算速度呢?答案是量子計算。量子計算機具有強大的計算能力，可以解決傳統計算機難以或者不能解決的問(wèn)題。 就在今天，科技界迎來(lái)了一則重磅消息：世界上第一臺超越早期經(jīng)典計算機的光量子計算機誕生。中國科學(xué)院5月3日在上海舉行新聞發(fā)布會(huì )，對外發(fā)布了這一消息，這個(gè)“世界首臺”是貨真價(jià)實(shí)的“中國造”，屬中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉教授及其同事陸朝陽(yáng)、
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