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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 飛兆

飛兆推出最新一代點(diǎn)火IGBT器件

  • 為了滿(mǎn)足現今和新興點(diǎn)火系統對排放和高燃油效率的嚴苛要求,汽車(chē)設計人員需要更高性能的點(diǎn)火線(xiàn)圈驅動(dòng)器技術(shù)。為幫助設計人員滿(mǎn)足這些要求,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點(diǎn)火IGBT器件。EcoSPARK? 2、FGD3040G2和FDG3440G2點(diǎn)火線(xiàn)圈驅動(dòng)器可將VSAT降低多達20%,而不會(huì )顯著(zhù)降低自箝位感性負載開(kāi)關(guān)(Self Clamping Inductive Switching, SCIS) 的能量。這項優(yōu)化特性減低了功耗和
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飛兆在中國榮獲聲名卓著(zhù)的電源產(chǎn)品創(chuàng )新大獎

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 在中國主要的電子設計媒體《電子產(chǎn)品世界》雜志主辦的電源技術(shù)及產(chǎn)品獎中,贏(yíng)得年度創(chuàng )新產(chǎn)品獎。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  電源  FL7701  

飛兆新近擴展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列

  • 隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,消費者越來(lái)越多地利用便攜設備處理業(yè)務(wù)和私人事務(wù)。由于這些便攜設備中構建了眾多的基礎架構系統,擁有能夠快速解決系統鎖死的簡(jiǎn)單方案是至關(guān)重要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)新近擴展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列,能夠為便攜設備鎖死問(wèn)題提供更好的解決方案。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  器件  重啟定時(shí)器  

飛兆開(kāi)發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便攜設備的設計人員面臨著(zhù)在終端應用中節省空間、提高效率和應對散熱問(wèn)題的挑戰。為了順應這一趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  P溝道  

飛兆推出一款低側高雙功率芯片非對稱(chēng)N溝道模塊

  • 隨著(zhù)功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能,電源工程師面臨著(zhù)在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S,幫助設計人員應對這一系統挑戰。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  FDPC8011S  N溝道  

飛兆推出一款電流柵極驅動(dòng)光耦合器產(chǎn)品

  • 太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達驅動(dòng)等大功率工業(yè)應用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅動(dòng)光耦合器。為了達到這個(gè)目標,爬電距離和間隙距離至少要達到10mm。同樣地,惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大的爬電距離和間隙距離。為了幫助設計人員應對這一挑戰,飛兆半導體開(kāi)發(fā)了一款先進(jìn)的2.5A輸出電流柵極驅動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD8320。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  封裝  FOD8320  

Power Integrations被裁定侵犯飛兆專(zhuān)利權其提出新專(zhuān)利訴訟

  • 在美國地區法院陪審團裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導體有關(guān)初級端調節技術(shù)的美國專(zhuān)利的指控成立后數天,全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor,簡(jiǎn)稱(chēng)“飛兆半導體”) 在美國時(shí)間5月1 日提出新的針對Power Integrations公司的美國專(zhuān)利侵權訴訟。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  半導體  

飛兆半導體開(kāi)發(fā)出一款智能高側開(kāi)關(guān)系列

  • 在現今的汽車(chē)應用中,設計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載,這類(lèi)應用包括:白熾燈、電機控制和加熱器件等?,F在要實(shí)現這一目的,設計人員不得不依賴(lài)分立式或機電式解決方案,或是受制于市場(chǎng)上數量有限的解決方案。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  F085A  

飛兆與包爾英特的專(zhuān)利之爭:初步裁定結果

  •   飛兆半導體周五宣布,一個(gè)聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特侵犯了其一項美國專(zhuān)利,而飛兆半導體則侵犯了包爾英特的兩項專(zhuān)利權。   美國特拉華州地方法院的聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列產(chǎn)品侵犯了專(zhuān)利號為7259972的專(zhuān)利權,而飛兆的相關(guān)控訴都屬實(shí);同時(shí)飛兆的脈沖寬度調制(PWM)控制器也侵犯了包爾英特的兩項專(zhuān)利權,但有關(guān)包爾英特指控的另外兩項專(zhuān)利侵犯并不屬實(shí)。   飛兆半導體表示已經(jīng)引進(jìn)了下一代技術(shù)來(lái)代替PWM控制器,對于那些與PWM技術(shù)相關(guān)的產(chǎn)品,公司也會(huì )與
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  PWM  

飛兆榮獲王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)企業(yè),而飛兆半導體一直為該公司提供品種繁多的產(chǎn)品。這個(gè)獎項是對飛兆半導體包括在交付時(shí)間表、客戶(hù)服務(wù)和設計支持方面等各項出色服務(wù)的認可。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  半導體  

飛兆為設計人員帶來(lái)最佳功率密度并節省線(xiàn)路板空間

  • 在能源效率標準和最終系統要求的推動(dòng)之下,電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導損耗,能夠滿(mǎn)足這些需求。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  線(xiàn)路板  FDMC8010  

飛兆開(kāi)發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

  • 新能源標準以及針對刀片式服務(wù)器、高性能筆記本電腦、游戲主機和負載點(diǎn)(point-of-load)模塊的新系統規范,正在推動(dòng)業(yè)界對更高效率、更大電流、更高開(kāi)關(guān)頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  芯片  FDMF68xx  

飛兆開(kāi)發(fā)出FAB2210音頻子系統

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出帶有立體聲Class-G耳機放大器和Class-D揚聲器放大器的FAB2210音頻子系統,助力智能手機和便攜媒體播放器等移動(dòng)產(chǎn)品的設計人員實(shí)現更好音質(zhì)。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  揚聲器  FAB2210  

飛兆半導體開(kāi)發(fā)出增強型CLASS-D音頻放大器

  • 消費者對響亮清晰的揚聲器音頻的要求,推動(dòng)了對于更長(cháng)電池使用時(shí)間和高效率的需求,這成為設計人員在便攜產(chǎn)品設計中實(shí)現“讓小型揚聲器更響亮清晰”的目標時(shí)所面對的兩項挑戰。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  音頻放大器  FAB3103  

飛兆與英飛凌就創(chuàng )新型汽車(chē)無(wú)鉛封裝技術(shù)達成協(xié)議

  • 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車(chē)MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  英飛凌  MOSFET  
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飛兆介紹

Fairchild Semiconductor is a leading global provider of semiconductor technology that powers the products we use and makes them more energy efficient. Fairchild continues to build on its rich history [ 查看詳細 ]

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