飛兆與英飛凌就創(chuàng )新型汽車(chē)無(wú)鉛封裝技術(shù)達成協(xié)議

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車(chē)MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。

　　這款封裝專(zhuān)為包括混合動(dòng)力車(chē)輛電池管理、電動(dòng)助力轉向(EPS)、主動(dòng)式交流發(fā)電機(active alternator)和其他大負載電氣系統在內的大電流汽車(chē)應用而設計。TO無(wú)鉛封裝是首個(gè)具有300A電流處理能力的封裝。這種封裝在線(xiàn)路板占用空間方面比現今的D2PAK封裝具有更顯著(zhù)優(yōu)勢，占用空間減小了20%以上，封裝高度降低了50%。

　　為了滿(mǎn)足更高效率和更低排放強制要求，開(kāi)發(fā)新型啟-停系統、電動(dòng)助力轉向、電池管理和主動(dòng)式交流發(fā)電機的汽車(chē)電子企業(yè)不斷尋求創(chuàng )新型解決方案，同時(shí)必須盡可能減小產(chǎn)品由單一供應商供貨的風(fēng)險。為了確?？煽康漠a(chǎn)品供應，飛兆半導體和英飛凌達成此項協(xié)議，目的是將先進(jìn)的TO無(wú)鉛MOSFET方案帶入汽車(chē)市場(chǎng)，同時(shí)最大限度地減小單一供應商來(lái)源的相關(guān)風(fēng)險。

　　飛兆半導體將TO無(wú)鉛功率封裝技術(shù)用于其最新的MOSFET技術(shù)，預計于2012年下半年提供首個(gè)采用TO無(wú)鉛封裝的MOSFET器件，并于2013年年中提供在產(chǎn)器件。

　　飛兆半導體汽車(chē)業(yè)務(wù)部副總裁Marion Limmer表示：“飛兆半導體在服務(wù)汽車(chē)工業(yè)方面擁有悠久歷史，在滿(mǎn)足當今汽車(chē)制造商對功率半導體的需求方面處于領(lǐng)先地位。飛兆半導體通過(guò)引入這種TO無(wú)鉛功率封裝技術(shù)，正在幫助設計人員利用最新的低電阻MOSFET技術(shù)，進(jìn)一步擴大我們在汽車(chē)市場(chǎng)的影響力。”

　　英飛凌科技汽車(chē)分部總裁Jochen Hanebeck表示：“有了這項協(xié)議，汽車(chē)行業(yè)便可受益于可靠的第二來(lái)源供應商，獲取在占用空間、效率和性能方面具有諸多優(yōu)點(diǎn)的大電流功率器件。作為汽車(chē)功率應用的領(lǐng)先廠(chǎng)商，英飛凌利用專(zhuān)門(mén)的技術(shù)知識，為汽車(chē)系統供應商提供能夠實(shí)現更高效率和更高性能的MOSFET器件，同時(shí)將單一供應商來(lái)源的相關(guān)風(fēng)險降低至最小。”

　　飛兆半導體與世界領(lǐng)先的汽車(chē)制造商和系統供應商進(jìn)行合作，創(chuàng )建支持各種汽車(chē)應用半導體解決方案，包括優(yōu)化現今車(chē)輛架構中的功率管理、降低油耗以及減少環(huán)境污染物質(zhì)。