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凌特首款精確電壓基準無(wú)需輸出補償電容

  •     凌特推出業(yè)界首款采用纖巧型 3 引線(xiàn) 2mm x 2mm DFN 封裝的精確系列電壓基準LT6660。這些緊湊型器件將 0.2% 初始精度、20ppm 漂移與微功率操作結合在一起,僅需要不到一半的 SOT-23 封裝空間。此外,LT6660 無(wú)需輸出補償電容,在 PC 板級空間非常寶貴或者需要實(shí)現快速穩定的場(chǎng)合,這是一個(gè)
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ADI關(guān)態(tài)電容1.5pF小于1pC模擬開(kāi)關(guān)

  •       ADI公司推出兩種工作在+/-12V或+/-15V的單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)ADG1233和ADG1234,提供業(yè)界最低的電容和電荷注入.這兩種器件的關(guān)態(tài)電容為1.5pF,電荷注入小于1pC,使它們非常適合需要低的尖峰和快速設定時(shí)間的高端數據采集以及取樣保持應用,器件的快速開(kāi)/關(guān)速度(120/40ns)以及-3dB帶寬900MHz使它們也適合用在視頻開(kāi)關(guān)(可能需要外接視頻緩沖器).開(kāi)關(guān)的導通電阻為120歐姆,通道間電阻匹配為3.5
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3M嵌入式電容介質(zhì)厚度達8μs

  •       3M電子日前宣布,其先進(jìn)層壓、嵌入式電容材料達到RoHS指令要求,可幫助OEM和PCB制造商滿(mǎn)足車(chē)載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應用設計需求。          3M介紹,其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達到8μs、電容密度達到每平方英寸大于10nF,使之成為現有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數字印刷電路板的設計人員
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開(kāi)關(guān)電容器現場(chǎng)可編程模擬陣列的頻域SPICE仿真

  • 根據C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效電路對開(kāi)關(guān)電容器網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行雙口分析的理論,以現場(chǎng)可編程模擬陣列實(shí)現的PID控制器為例
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3M電子嵌入式電容符合RoHS指令厚8μs

  •      3M電子日前宣布,其先進(jìn)層壓、嵌入式電容材料達到RoHS指令要求,可幫助OEM和PCB制造商滿(mǎn)足車(chē)載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應用設計需求。      3M介紹,其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達到8μs、電容密度達到每平方英寸大于10nF,使之成為現有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數字印刷電路板的設計人員和制造商在實(shí)現高速設計的同時(shí),簡(jiǎn)化了設計。   &
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東芝開(kāi)發(fā)新型128MB電容器DRAM

  •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無(wú)輸出電容器DRAM芯片,正在對這款芯片進(jìn)行測試運作。     東芝公司報告稱(chēng),去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會(huì )議(ISSCC)上東芝公司報告了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會(huì )議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱(chēng)是全球最大儲存密度無(wú)輸出電容器DRAM芯片。     無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效
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東芝開(kāi)發(fā)新型電容器DRAM芯片

  •    近日,日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無(wú)輸出電容器DRAM芯片,正在對這款 芯片進(jìn)行測試運作。    東芝公司報告稱(chēng),去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會(huì )議(ISSCC)上東芝公司報告了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會(huì )議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱(chēng)是全球最大儲存密度無(wú)輸出電容器DRAM芯片。    無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應取代了電容
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AVX新電容可在125℃高溫下使用

  •     AVX的TCJ系列鉭電容近期新增幾款大電容器件,據稱(chēng)可提供業(yè)內最高等級的電容,有助于縮小封裝體積。   據介紹,TCJ系列電容的電容值(CV)比同類(lèi)器件高出1至3級,工程師使用這些電容可以減小便攜器件的尺寸。0805尺寸電容在4V時(shí)電容值為100μF,1206尺寸在6.3V時(shí)為47μF,1210尺寸在6.3V時(shí)為10μF。   TCJ電容的工作電壓為12V,可在125℃高溫下使用。這些電容經(jīng)回流焊后仍能保持等效串聯(lián)電阻值(ESR),并可承受260℃回流焊溫度
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凌特推出照相閃光燈電容充電器

  •  凌特推出LT3485系列照相閃光燈電容充電器集成電路,該器件集成了完整的照相閃光燈電容充電器和 IGBT 驅動(dòng)器。LT3485 已獲得專(zhuān)利的控制技術(shù)允許它使用極小的“標準化”變壓器。無(wú)需外部組件設置輸出電壓。在充電時(shí),一個(gè)與電容器電壓成正比的輸出可用來(lái)進(jìn)行監視。輸入電流被嚴格控制以提供一致的充電時(shí)間。    該系列器件用 1.8V 至 10V 的輸入電壓工作,非常適用于由兩節 AA 堿性、單節鋰離子電池或
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Syfer新型表面安裝貼片電容

  •     Syfer Technology近日推出系列表面安裝貼片電容,該產(chǎn)品采用傳統的錫/鉛端子,主要面向不受歐盟RoHS規范限制的應用,包括軍事/航空、空間以及汽車(chē)等產(chǎn)品。   某些特殊應用目前還未受到歐盟RoHS規范的限制,雖然采用錫制產(chǎn)品的可行性還在調研當中,但Syfer相信一些特定的應用仍將繼續使用錫/鉛材料。   該公司提供的錫/鉛端子中含有不超過(guò)10/%的鉛,包括多種多層陶瓷貼片電容(MLCC)。容值范圍從0.45pF至82μF,工作電壓在16
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Vishay推出新型鉭電容器僅2.5mm

  •     日前,Vishay宣布推出鉭電容器Sprague 592D系列,可在厚度僅2.5mm的封裝中提供3300μF電容。提供的該解決方案可取代在超薄應用中使用多個(gè)低值電容器實(shí)現充足電容的方式。   Vishay采用“X”封裝尺寸的Sprague 592D共形敷膜(Conformal-Coated)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線(xiàn)卡及手機等終端產(chǎn)品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時(shí)應用。新型592D電容器使用戶(hù)無(wú)需并行使用多個(gè)電容器來(lái)滿(mǎn)足
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利用開(kāi)關(guān)電容濾波器實(shí)現抗混疊濾波

  •   帶外雜散信號所引起的混疊現象是A/D 轉換器應用中所面臨的關(guān)鍵問(wèn)題,如果沒(méi)有適當的濾波處理,這些信號會(huì )嚴重影響數據轉換系統的性能指標。本文主要討論抗混疊濾波的原理及其對系統性能的影響。本文針對這一應用,提供了一個(gè)開(kāi)關(guān)電容濾波器設計范例,該方案具有極高的性?xún)r(jià)比。本文幾乎涵蓋了所有與高性能系統設計有關(guān)的重要參數和實(shí)際問(wèn)題。   產(chǎn)生混疊的來(lái)源:這一點(diǎn)在奈奎斯特定理中給出了說(shuō)明。奈奎斯特定理指出:時(shí)間連續信號轉換成離散信號時(shí),需要在一個(gè)周期內的采樣次數多于2 次。如果采樣次數不夠,將無(wú)法恢復丟失的信息。從
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5V轉換成 -10V的簡(jiǎn)單電路

  • 典型開(kāi)關(guān)式電容器充電泵不需要電感器,因此容易設計,且能將正電壓加倍及將正電壓轉換成一個(gè)等效負電壓。但在某些應用中,只有正電源可用,且電源系統必須產(chǎn)生一個(gè)幅度比正電源電壓幅度更大的負電壓。圖1所示電路可將其輸入電壓反相的同時(shí)將所得負電壓加倍?! ⊥ǔ?,MAX889T電壓反相器IC1可將一個(gè)正輸入電壓轉換成一個(gè)絕對幅度低于其輸入值的負輸出電壓。但此電路中,肖特基二極管D1、D2及電容器C4與C5可幫助產(chǎn)生一個(gè)更高的輸出電壓。該電路的額定輸出為VOUT=-(2
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高效照相閃光燈電容充電器

  •   2005 年 9 月 19 日 - 北京 - 凌特公司(Linear Technology)推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容(典型值為 320V)充電器。這些集成電路設計成獨立器件,無(wú)需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負載和大量軟件開(kāi)發(fā)。   這個(gè)系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數碼相機和移動(dòng)電話(huà)應用而設計。LT3484 獲得專(zhuān)利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器,而且其片上 NPN 電源開(kāi)關(guān)無(wú)需外部肖特基二極管箝位,縮小了解決方案尺寸。由于變壓
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Linear高效照相閃光燈電容充電器

  • Linear高效照相閃光燈電容充電器凌特公司(Linear Technology)推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容(典型值為 320V)充電器。這些集成電路設計成獨立器件,無(wú)需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負載和大量軟件開(kāi)發(fā)。 這個(gè)系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數碼相機和移動(dòng)電話(huà)應用而設計。LT3484 獲得專(zhuān)利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器,而且其片上 NPN&n
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電容器介紹

電容器(capacitor)簡(jiǎn)稱(chēng)電容,也是組成電子電路的主要元件。它可以?xún)Υ骐娔?,具有充電、放電及通交流、隔直流的特性。從某種意義上說(shuō),電容器有點(diǎn)像電池。盡管兩者的工作方式截然不同,但它們都能存儲電能。電池有兩個(gè)電極,在電池內部,化學(xué)反應使一個(gè)電極產(chǎn)生電子,另一個(gè)電極吸收電子。而電容器則要簡(jiǎn)單得多,它不能產(chǎn)生電子——它只是存儲電子。它是各類(lèi)電子設備大量使用的不可缺少的基本元件之一。各種電容器在電路 [ 查看詳細 ]

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