東芝開(kāi)發(fā)新型128MB電容器DRAM

   近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無(wú)輸出電容器DRAM芯片，正在對這款芯片進(jìn)行測試運作。  
　　東芝公司報告稱(chēng)，去年二月份在最尖端半導體電路技術(shù)國際會(huì )議（ISSCC）上東芝公司報告了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會(huì )議上，東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱(chēng)是全球最大儲存密度無(wú)輸出電容器DRAM芯片。  
　　無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應取代了電容器使用傳統的DRAM芯片儲存數據。除了東芝公司外，創(chuàng )新硅公司和瑞薩科技公司也宣布了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的原型，它們早在2000年就開(kāi)始研究浮體效應電池儲存器。  
　　東芝公司SoC（系統芯片）研究開(kāi)發(fā)中心技術(shù)部門(mén)AMD公司首席專(zhuān)家Takeshi Hamamoto表示，東芝公司開(kāi)發(fā)的128MB儲存容量無(wú)輸出電容器DRAM芯片是目前新產(chǎn)品中儲存密度最大的產(chǎn)品 
。他說(shuō)：“128MB儲存容量的科技價(jià)值是巨大的，它的設計和開(kāi)發(fā)全部依賴(lài)于實(shí)際應用，如果有必要，在三年內我們將能夠在LSI (大規模集成電路）中使用”。  
　　東芝公司指出，無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在六層金屬上采用90納米CMOS制造工藝制作的。電池尺寸為0.17平方微米，大約是傳統DRAM電池面積的一半。  
　　在這款芯片的制作中，東芝公司工程師推出了部署版面與信號線(xiàn)、電源線(xiàn)等銅線(xiàn)最優(yōu)化的電池設計，這些銅線(xiàn)幫助芯片達到 了書(shū)寫(xiě)時(shí)間為10 ns（毫微秒，時(shí)間單位等于1秒的10億分之一），讀取時(shí)間為20ns。  
　　為了全部完成大規模集成電路的開(kāi)發(fā)，東芝公司還將繼續在惡劣的運作環(huán)境中對 芯片進(jìn)行測試，進(jìn)一步提高芯片的可靠性。 
（摘自http://www.ednchina.com）