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安森美推出三款固定頻率電流模式控制器集成電路

  •   安森美半導體(ON Semiconductor)推出NCP1237、NCP1238及NCP1288固定頻率電流模式控制器集成電路(IC)。這些新控制器針對膝上型/筆記本電腦、液晶顯示(LCD)顯示器、打印機及家用消費電子的交流-直流(AC-DC)適配器應用,提供不同頻率及單或雙過(guò)流閾值電平的選擇。標準器件內置65千赫茲(kHz)振蕩器,并可根據要求提供100 kHz或133 kHz版本。   這些IC采用了專(zhuān)有的軟跳周期(Soft−Skip™)模式,在跳周期模式期間漸進(jìn)增
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安森美半導體推出PFC可調光LED驅動(dòng)器

  •   應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供貨商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的功率因數校正(PFC)可調光發(fā)光二極管(LED)驅動(dòng)器 – NCL30000,用于住宅及商業(yè)照明應用。   NCL30000采用緊湊型的8引腳表面貼裝封裝,使用臨界導電模式(CrM)反激架構,以單段式拓撲結構提供大于0.95的高功率因數,因而省卻直流-直流(DC-DC)轉換段。恒定導通時(shí)間CrM工作特別適合于隔離型反激LED應用,因為控制原理簡(jiǎn)單,即使在低功率電平時(shí),也能夠提供極高能
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安森美半導體推出高壓MOSFET系列

  •   應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用于A(yíng)TX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮流器。   這些新的500 V和60
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安森美半導體擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET系列

  •   應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過(guò)完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過(guò)渡電壓應力的設計。   安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車(chē)中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無(wú)鉛器件,符合RoHS指令,關(guān)鍵的規范特性包括:
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功率小于75 W的極低待機功耗適配器設計及應用

  •   電源適配器廣泛應用于筆記本電腦、游戲機、打印機、DSL調制解調器和手機等領(lǐng)域,應用規模非常龐大。而從人們的使用習慣來(lái)看,這些設備也有相當比例的時(shí)間處于輕載或待機(空載)工作模式。因此,“能源之星”等規范標準在致力于提升這些設備所用電源適配器工作能效的同時(shí),也注重提升輕載能效及降低待機能耗。   例如,美國環(huán)保署(EPA) 2.0版“能源之星”外部電源規范(簡(jiǎn)稱(chēng)EPA 2.0)在1.1版基礎上進(jìn)一步提高了能效要求(見(jiàn)表1),其中Ln為額定輸出功率的自然對
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安森美時(shí)鐘管理產(chǎn)品系列增加新的時(shí)鐘和數據驅動(dòng)IC

  •   應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(宣布擴充公司的時(shí)鐘驅動(dòng)器系列,推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M差分2:1多工器輸入至1:6器件,以及帶均衡功能的NB6HQ14M和NB7HQ14M 1:4扇出時(shí)鐘/數據驅動(dòng)器。   NB6HQ14M和NB7HQ14M高性能差分1:4電流模式邏輯(CML)時(shí)鐘驅動(dòng)器中集成了可選擇的均衡器接收器。當與工作數據率高達6.5 Gbps或10 Gbps的數據通道串聯(lián)布置時(shí),輸入將補償退化的信號,輸出4個(gè)
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安森美介質(zhì)連接器AMIS-49250大幅減小電路板尺寸

  •   安森美半導體(ONSemiconductor)推出AMIS-49200介質(zhì)連接器(MAU)的一款新派生產(chǎn)品——AMIS-49250。與AMIS-49200相比,AMIS-49250節省達66%的額外電路板空間。這器件是安森美半導體處理自動(dòng)化收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn)的一環(huán),用于石油精煉、化學(xué)處理和水處理廠(chǎng)等極講究安全的應用。   連接器AMIS-49250大幅減小電路板尺寸"   安森美半導體擁有寬廣的收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn),并在為自動(dòng)化市場(chǎng)(如HART調制解調器)提供集成電路(IC)方
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中大尺寸液晶電視AC-DC電源架構及LED背光方案

  •   近年來(lái),液晶電視(LCD TV)市場(chǎng)快速發(fā)展。市場(chǎng)研究機構DisplaySearch預計,2008年到2012年間的年復合增長(cháng)率(CAGR)高達16%,其中2009年的付運總量預計達1.4億臺,而這一數字到2012年將超過(guò)2億。   在市場(chǎng)規模迅速擴大的同時(shí),在規范標準及綠色營(yíng)銷(xiāo)的壓力下,液晶電視的工作及待機能耗也越來(lái)越低。如“能源之星”4.0版規范及5.0版規范相繼將于2010年5月及2012年5月生效,其中5.0版要求可視屏幕對角尺寸為32英寸、42英寸和60英寸的平板電
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交錯式PFC技術(shù)趨勢及新穎的單芯片交錯式PFC控制器的應用

  •   近年來(lái),在一些對外形因數有嚴格要求的應用中,如纖薄型液晶電視或筆記本適配器等,一種新興的功率因數校正(PFC)技術(shù)-交錯式PFC的使用越來(lái)越多。所謂交錯式PFC,是在原本單個(gè)較大功率PFC段的地方并行放置2個(gè)功率為其一半的較小功率PFC段來(lái)替代,參見(jiàn)圖1。這兩個(gè)功率較小的PFC段以180°的相移交替工作,總輸入電流(IL(tot))和輸出電流(ID(tot))紋波都將大幅降低。   雖然交錯式PFC使用相對較多的元器件,但卻擁有很多優(yōu)勢。例如,150 W的PFC比300 W PFC更易于設計
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符合“能源之星”固態(tài)照明標準的離線(xiàn)型LED驅動(dòng)器GreenPoint參考設計

  •   隨著(zhù)高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)在光輸出、能效及成本方面的全面改善,同時(shí)結合小巧、低壓工作及環(huán)保等眾多優(yōu)勢,LED照明(也稱(chēng)固態(tài)照明(SSL))正在掀起一場(chǎng)照明革命。而在節能環(huán)保的趨勢下,LED照明自然也成為眾多規范機構所瞄準的目標。如美國能源部“能源之星”項目的1.1版固態(tài)照明標準自2009年2月開(kāi)始生效,中國的中國標準化研究院也在牽頭攜手相關(guān)機構,準備在2010年發(fā)布中國版本的LED照明能效標準。   就“能源之星”的新版固態(tài)照明標準而言,這標
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用于MR16 LED替代應用的1 W至5 W LED驅動(dòng)器GreenPoint參考設計

  •   近年來(lái),高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)市場(chǎng)快速發(fā)展,LED效能(efficacy,單位為流明/瓦或lm/W)增加了一倍以上,使用更加適用于眾多新應用,如我們在手持電筒、建筑照明及街道照明等應用中可以發(fā)現諸多革命性的新產(chǎn)品。但LED要成為比白熾燈和緊湊型熒樂(lè )燈性?xún)r(jià)比更高的照明系統,仍然面臨著(zhù)挑戰。實(shí)際上,就許多應用而言,都涉及到基于寬輸入電壓范圍的電源來(lái)為HB-LED供電的挑戰。其中,軌道照明等通用照明應用尤為如此,這些應用采用可能很松散穩壓的12 Vac或12 Vdc電源。然而,LED需要以電流源而
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用于MR16 LED的1W至5W LED驅動(dòng)器參考設計

  • 近年來(lái),高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)市場(chǎng)快速發(fā)展,LED效能(efficacy,單位為流明/瓦或lm/W)增加了一倍以上,使用更加...
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安森美半導體1.08億美元購并California Micro Devices

  •   據華爾街日報(WSJ)報導,安森美半導體(On Semiconductor)將以1.08億美元購并California Micro Devices,此為半導體市場(chǎng)最新的購并案,半導體大廠(chǎng)進(jìn)一步透過(guò)整并小廠(chǎng)拓展產(chǎn)品線(xiàn)。   California Micro Devices制造保護LED照明半導體及產(chǎn)品的裝置,安森美半導體將以每股4.7美元購并California Micro Devices,較California Micro Devices 2009年12月11日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)54%,此外,此購并案可望
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安森美推出符合汽車(chē)標準的自保護低端MOSFET驅動(dòng)IC

  •   安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標準認證,非常適用于嚴格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應用。   NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作,這些器件全都有豐富的自保護特性,包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護,以及用于過(guò)壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。   安森美半導體汽車(chē)
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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的產(chǎn)品系列,是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車(chē)、醫療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。 公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯,并在北美、歐洲和亞太地區等關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處和設計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]

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