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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 失效分析

可靠性失效分析常見(jiàn)思路（一）

  • 失效分析在生產(chǎn)建設中極其重要,失效分析的限期往往要求很短,分析結論要正確無(wú)誤,改進(jìn)措施要切實(shí)可行?！　?...
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IC故障診斷及失效分析:發(fā)現事實(shí)避免臆測

  • 摘要：對一個(gè)復雜的設備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候，知識儲備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問(wèn)題。它 ...
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線(xiàn)路板的失效分析

  • 你是否長(cháng)時(shí)間糾纏于線(xiàn)路板的失效分析?你是否花費大量精力在樣板調試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的設 ...
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對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來(lái)越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

某光電裝備電機驅動(dòng)電路失效分析

  • 摘要：驅動(dòng)電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統的工作性能。驅動(dòng)電路的設計中主要考慮功能和性能等方面的因素。本文首先介紹了某平臺的電機驅動(dòng)電路，然后就實(shí)際工作及實(shí)驗中驅動(dòng)電路出現的失效信息作以分析，對問(wèn)題進(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 驅動(dòng)電路  失效分析  H橋  PWM  

抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

  • 為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測試、檢漏、內部水汽檢測、開(kāi)封檢查等試驗完成了對晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結果表明晶體管存在工藝問(wèn)題，內部未進(jìn)行水汽控制，加上內部硫元素過(guò)高，長(cháng)期貯存后內部發(fā)生了氧化腐蝕反應，從而導致晶體管功能失效。對此建議廠(chǎng)家對晶體管的生產(chǎn)工藝進(jìn)行檢查，對水汽和污染物如硫元素等加以控制，及時(shí)剔除有缺陷的晶體管。
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熱阻測試原理與失效分析

  • 文中通過(guò)熱阻的測試原理分析和實(shí)際案例，分別從熱阻測試條件、控制限、上芯空洞、傾斜、芯片內阻等幾個(gè)方面，全面地闡述對熱阻測試結果的影響，并通過(guò)數據統計形成圖表，較為直觀(guān)明了，總結出熱阻測試失效的各種可能原因。
  • 關(guān)鍵字： 熱阻測試  原理  失效分析    
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