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制程 文章 進(jìn)入制程技術(shù)社區
多相同步DC-DCPWM控制器LTC1629
- 1引言 Linear公司生產(chǎn)的PWM控制器LTC1629是專(zhuān)門(mén)為低壓大電流的DC DC變換電路設計的，其主要特點(diǎn)有： 通過(guò)使用PolyPhaseTM技術(shù)可以有效減少輸入和輸出電容器的數量，提高系統的響應速度，減少系統的體積和造價(jià)； 每1個(gè)單獨的芯片可以同時(shí)驅動(dòng)兩路BUCK變換器，它們在相位上相差180
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光盤(pán)系統用半導體激光器
- 摘 要：半導體激光器（LD）作為讀取光盤(pán)信息的光源，是CD、DVD播放機/ROM等光盤(pán)系統的重要器件，它的性能往往決定系統的整體性能。文中敘述了光盤(pán)用LD的發(fā)展歷程及特點(diǎn)，并著(zhù)重介紹了近紅外、紅光、紫光LD及雙波長(cháng)LD的開(kāi)發(fā)現狀。 關(guān)鍵詞：LD; CD; DVD; 光盤(pán)系統 分類(lèi)號：TN365 文獻標識：B 文章編號：1006-6977（2000）11-0003-04 1 光盤(pán)系統用LD的發(fā)展歷程
- 關(guān)鍵字： 消費電子 其他IC 制程 消費電子
臺積電將投7億美元提升晶圓產(chǎn)能
- 臺積電董事長(cháng)近日批準了一項計劃，即該公司將投入7.065億美元來(lái)提高其工廠(chǎng)的產(chǎn)能。這筆投入將用于擴展該公司12英寸晶圓工廠(chǎng)的65納米技術(shù)產(chǎn)能，擴展其8英寸工廠(chǎng)的0.18微米和0.15微米技術(shù)產(chǎn)能。 這一消息是這家按銷(xiāo)售額來(lái)說(shuō)為全球最大的芯片代工制造商在一份聲明中所稱(chēng)。該公司在臺灣有兩個(gè)12英寸芯片工廠(chǎng)和五個(gè)8英寸晶圓工廠(chǎng)。臺積電董事會(huì )還批準了一項最高可投入7500萬(wàn)美元資金來(lái)建立一個(gè)風(fēng)險資本基金，并且將委托VentureTech Alliance&nbs
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彩屏手機背光驅動(dòng)電路的選擇策略
- 近幾年來(lái)，彩色LCD顯示屏在手機中使用量越來(lái)越大，白光LED為這種應用提供了完美的背光解決方案。由于白光LED的導通壓降一般為3.5V(20mA)，最大值可以到達4V，而單節鋰離子電池的一般輸出電壓為3.6V~4.2V，因此，一般不能直接用單節鋰離子電池來(lái)驅動(dòng)白光LED，通常需要用專(zhuān)門(mén)的LED驅動(dòng)電路來(lái)實(shí)現。 1 驅動(dòng)電路介紹 目前，一般的LED驅動(dòng)電路可以分成二種，一種是串聯(lián)驅動(dòng)，采用電感型DC-DC升壓轉換原理，所有的LED是串聯(lián)連接的形式；另一種是并聯(lián)驅動(dòng)，采用電容型的電荷泵倍壓原理
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吉時(shí)利第三代晶圓射頻測量功能產(chǎn)品
- 吉時(shí)利儀器公司（Keithley）發(fā)布了用于半導體生產(chǎn)的第三代晶圓射頻 (RF) 測量能力的產(chǎn)品。該射頻參數測量系統的RF選件解決方案（選配件），能提供連續、自動(dòng)、實(shí)時(shí)的測試和質(zhì)量監控，操作方便，可獲得最高通過(guò)率的信息吞吐量，測量質(zhì)量高，且成本較低。 此外，該射頻參數測量系統在全球范圍內，是目前唯一獲得驗證的半導體參數測量系統，適合200mm和300mm晶圓廠(chǎng)進(jìn)行應用參數工藝控制，以及高性能邏輯電路生產(chǎn)和高性能模擬集成電路生產(chǎn)。 吉時(shí)利公司的RF選件包括S680型SimulT
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提高射頻電路集成度應對多模手機設計挑戰
- 為滿(mǎn)足下一代蜂窩電話(huà)設計對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過(guò)采用CMOS 工藝的最新集成方案，他們找到了應對這一挑戰的答案。 消費者對更小、更便宜手機和手持式設備中實(shí)現更多功能以及高速無(wú)線(xiàn)數據業(yè)務(wù)與多重無(wú)線(xiàn)電技術(shù)(多模式)需求，正推動(dòng)移動(dòng)電話(huà)市場(chǎng)的增長(cháng)。在2.5G 網(wǎng)絡(luò )(GPRS 及CDMA 1xRTT) 與3G 網(wǎng)絡(luò )(UMTS/W-CDMA 及cdma2000)的進(jìn)展使高速無(wú)線(xiàn)數據業(yè)務(wù)成為可能的同時(shí)，通過(guò)采用適當的硅工藝以及集成射頻收發(fā)器等關(guān)鍵構建
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用iPOWIRTM系列產(chǎn)品簡(jiǎn)化DC-DC 硬件設計
- 介紹 電源系統設計者正面臨著(zhù)越來(lái)越嚴峻的挑戰，一方面是提高電源性能來(lái)滿(mǎn)足更大負載的要求，另一方面是在日益緊湊的空間內為其它設備留出更多寶貴的空間以便增加系統功能，系統工程師也需要一種快捷、簡(jiǎn)單而且不需要太多電源設計工程師或資源的方案。此外，人們也期望有一種設計更加簡(jiǎn)潔明了能滿(mǎn)足各種特定應用需要的電源解決方案。 IR公司的iPOWIRTM Technology系列產(chǎn)品可以大大簡(jiǎn)化高密度、高效、緊湊的點(diǎn)式負載電源的設計，而且可以大大縮短設計和上市時(shí)間。iPOWIR Technology系列產(chǎn)品
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“單正向”柵驅動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅動(dòng)電路
- 目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設計人員一般會(huì )設計柵特性是需要負偏置柵驅動(dòng)的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅動(dòng)器，因為這些IC是專(zhuān)為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負偏置柵驅動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結果。 為了理解dV/dt感生開(kāi)通現象，我們必須考慮跟
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用iPOWIRTM系列產(chǎn)品簡(jiǎn)化DC-DC 硬件設計
- 介紹 電源系統設計者正面臨著(zhù)越來(lái)越嚴峻的挑戰，一方面是提高電源性能來(lái)滿(mǎn)足更大負載的要求，另一方面是在日益緊湊的空間內為其它設備留出更多寶貴的空間以便增加系統功能，系統工程師也需要一種快捷、簡(jiǎn)單而且不需要太多電源設計工程師或資源的方案。此外，人們也期望有一種設計更加簡(jiǎn)潔明了能滿(mǎn)足各種特定應用需要的電源解決方案。 IR公司的iPOWIRTM Technology系列產(chǎn)品可以大大簡(jiǎn)化高密度、高效、緊湊的點(diǎn)式負載電源的設計，而且可以大大縮短設計和上市時(shí)間。iPOWIR Technology系列產(chǎn)品
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PWM 應用中的低電壓反饋
- PWM 應用中的低電壓反饋 作者：德州儀器 (TI) 電源控制產(chǎn)品部 Steve Mappus 就低電壓高電流電源應用而言，開(kāi)關(guān)式電源門(mén)極驅動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿(mǎn)足特定設計的高電流規范要求，因此單一集成電路控制器與驅動(dòng)器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導通電阻，并減少傳導損耗。但是，隨著(zhù)并聯(lián)器件的增多，門(mén)極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動(dòng)級，因此與驅動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數功率損耗其形式都表現為
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直接數字合成電路在雷達信號設計中的應用
- （西安電子科技大學(xué)，陜西 西安 710071） 1 引言 隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，雷達對信號的要求越來(lái)越高。雷達信號必須具有頻率捷變、波形參數捷變和自適應跳頻的能力。傳統的 模擬方法只能產(chǎn)生單一的雷達信號，而利用直接數字合成（DDS）是解決這一問(wèn)題的最好途徑。專(zhuān)用DDS電路AD9854可以產(chǎn)生點(diǎn)頻、線(xiàn)性調頻、FSK、BPSK等各種信號形式，其幅度和相位一致性好，還有電路控制簡(jiǎn)單、方便靈活、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。2 AD9854 的結構特點(diǎn) AD9854是Analog Devices公司推出的
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PCF8563實(shí)時(shí)時(shí)鐘高精度調整方法
- 一、概述 PCF8563是PHILIPS公司設計生產(chǎn)的經(jīng)典工業(yè)級實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片(RTC)，I2C總線(xiàn)接口，具有功耗低、精度高等特點(diǎn)，廣泛應用于電表、水表、氣表、電話(huà)等產(chǎn)品。本文將介紹如何調整PCF8563時(shí)鐘精度的方法。 二、電路原理 三、相關(guān)說(shuō)明 如圖1所示，R3、R4為I2C總線(xiàn)上拉電阻，若總線(xiàn)速度高于100KHz，電阻阻值要更小。由于PCF8563的中斷輸出及時(shí)鐘輸出均為開(kāi)漏輸出，所以要外接上拉電阻(如圖1的R1、R2)，若不使用這兩個(gè)信號，對應的上拉電阻可以不用。 對
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