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元件 文章 進(jìn)入元件技術(shù)社區
器件的散熱
- 1、 散熱的原理與重要性 各種功率器件的核心是PN結，而PN結的性能與溫度密切相關(guān)。為了保證器件正常工作，必須規定最高允許結溫TjM。當器件流過(guò)較大的電流時(shí)，在芯片上產(chǎn)生相應的功率損耗，引起芯片溫度增加，與最高結溫對應的器件耗散功率即為器件的最大允許耗散功率。器件正常工作時(shí)不應超過(guò)最高結溫和功率的最大允許值，否則，器件特性將要發(fā)生變化，甚至導致器件產(chǎn)生永久性的損壞現象。 芯片溫度的高低與器件內部功耗的大小、芯片到外界環(huán)境的傳熱條件（傳熱機構、材料、冷卻方式等）及環(huán)境溫度有關(guān)。設法減小器件的內部
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電力電子器件的緩沖電路
- 1、 緩沖電路的作用與基本類(lèi)型 電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱(chēng)吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的應用技術(shù)中起著(zhù)重要的作用。 晶閘管開(kāi)通時(shí)，為了防止過(guò)大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過(guò)大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開(kāi)通緩沖電路，或稱(chēng)串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí)，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過(guò)電壓和過(guò)大的電壓上升率，以
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電源管理和MOSFET推動(dòng)中國功率器件市場(chǎng)發(fā)展
- 全球能源需求的不斷增長(cháng)以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續保持快速增長(cháng)，但由于市場(chǎng)基數的不斷擴大，市場(chǎng)增長(cháng)率將逐年下降。預計到2011年時(shí)中國功率器件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場(chǎng)年均復合增長(cháng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件 制造
今年我國激光產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售總額將超過(guò)60億元
- 盡管今年年初美國《LaserFocusWorld》雜志對2006年的世界激光產(chǎn)業(yè)作出了“經(jīng)歷了驚人的強力增長(cháng)”和“激光行業(yè)的發(fā)展看起來(lái)相當樂(lè )觀(guān)”的評價(jià)，但2006年世界激光產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售額達到56億美元，同比僅增長(cháng)了2%。與之相比，2006年則是中國激光產(chǎn)品市場(chǎng)一個(gè)高速、穩定的發(fā)展年份。中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì )激光分會(huì )對全行業(yè)激光產(chǎn)品銷(xiāo)售統計結果表明：2006年中國激光產(chǎn)品市場(chǎng)(不含全息 制品)的銷(xiāo)售總額已突破50億元大關(guān)，達到56.3267億元，同比增長(cháng)了40.4%。2007年中國激光產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售總額將
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中國光伏產(chǎn)業(yè)引人注目多晶硅短缺仍在持續
- 多晶硅是電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎材料。近年來(lái)，由于世界半導體集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，尤其是受太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅動(dòng)，多晶硅市場(chǎng)得以迅速增長(cháng)。而多晶硅市場(chǎng)供需不平衡問(wèn)題的日益突出，也引起了全世界的廣泛關(guān)注。 在當今能源日趨緊張、環(huán)境壓力日趨增大的情況下，可再生能源受到各國政府的日益重視，太陽(yáng)能作為一種重要的可再生能源，其開(kāi)發(fā)和利用已成為各國可持續發(fā)展戰略的重要組成部分。目前，我國可再生能源規模只有8%，未來(lái)的發(fā)展空間十分廣闊。而作為21世紀最有潛力的能源，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)在研發(fā)、
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電力電子技術(shù)概況
- 一、電力電子技術(shù)及特點(diǎn) 電子技術(shù)包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數字電子技術(shù)屬于信息電子技術(shù)。電力電子技術(shù)是應用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，它是利用電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的新興學(xué)科。目前所用的電力電子器件采用半導體制成，故稱(chēng)電力半導體器件。信息電子技術(shù)主要用于信息處理，而電力電子技術(shù)則主要用于電力變換。電力電子技術(shù)的發(fā)展是以電力電子器件為核心，伴隨變換技術(shù)和控制技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。 電力電子技術(shù)可以理解為功率強大，可供諸如電力系統那樣大電流、高電壓場(chǎng)合應用的
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無(wú)刷直流伺服電動(dòng)機的功率驅動(dòng)電路
- 1.功率驅動(dòng)電路的基本類(lèi)型 無(wú)刷直流伺服電路的基本類(lèi)型 無(wú)刷支流伺服電動(dòng)機的容量一般在100KW以下。按目前功率器件的水平，這個(gè)容量段的商品化器件應該采用全控制器件，即GTO、GTR、功率MOSFET和IGBT。全控型器件也即自關(guān)斷器件，并且IGBT已占主導地位。它們的主要性能指標是：電壓、電流和工作頻率。通過(guò)這三項參數的分析即可進(jìn)行元件的選擇。功率驅動(dòng)電路的基本類(lèi)型如圖1所示。圖中m表示電機的繞組相數；A表示繞組允許通電方向，當繞組允許正、反兩個(gè)方向通電，A=2，只允許單方向通電時(shí)A=1。圖
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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
- 隨著(zhù)制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統設計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導通。導通時(shí)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 元件 制造
SMT技術(shù)都涉及到哪些相關(guān)技術(shù)？
- SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設備的設計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
- 關(guān)鍵字： SMT技術(shù) 元件 制造
元件介紹
元件
yuánjiàn
〖componentelement〗
1.元件：在flash中，元件包括圖形元件、按鈕元件和影片剪輯元件，所有的元件一經(jīng)創(chuàng )建就保存在“庫”面板中，并可以反復使用。
2.元件:機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構成,可以在同類(lèi)產(chǎn)品中通用.
3.元件:小型的﹑在同類(lèi)裝置中可以互換使用的零件。常指電器﹑無(wú)線(xiàn)電﹑儀表等工業(yè)的某些零件，如 [ 查看詳細 ]
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