揚州大學(xué)成功研發(fā)出高穩定性L(fǎng)ED芯片

　　近日,由揚州大學(xué)物理學(xué)院承擔的江蘇省科技攻關(guān)項目大功率高亮度LED芯片取得重要進(jìn)展,首批試制樣品已上線(xiàn)接受1000小時(shí)的性能測試.這款由我國自主研發(fā)的新光源芯片,將用于替代國外同類(lèi)產(chǎn)品.

　　據了解,LED是目前世界各國加緊開(kāi)發(fā)的節能光源產(chǎn)品,用于替代傳統的電力光源,芯片則是LED的“大腦”.但目前國產(chǎn)LED芯片在壽命、亮度、性?xún)r(jià)比等方面均弱于進(jìn)口芯片,從而造成最終產(chǎn)品成本高,難以在一般消費者中普及,且高端產(chǎn)品的芯片需依賴(lài)進(jìn)口.

　　據課題負責人揚大物理學(xué)院曾祥華教授介紹,由該院光電研究中心 10名科研人員組成的研究團隊,與揚州華夏光電聯(lián)合開(kāi)展校企合作,對國產(chǎn)芯片的結構進(jìn)行重新設計,著(zhù)力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩定性問(wèn)題,以提高其使用壽命.曾祥華表示,目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功,并已經(jīng)獲得三項國家專(zhuān)利,經(jīng)過(guò)1000小時(shí)連續帶電測試后,研究人員還將對細節進(jìn)行改進(jìn),新芯片的穩定使用壽命約能提高到5萬(wàn)小時(shí)以上.據悉,新芯片因由我國自主研發(fā),這將大大縮減LED制造成本,最終可用于替代進(jìn)口芯片.