Ramtron發(fā)布具射頻功能之無(wú)線(xiàn)存儲器MaxArias

　　關(guān)于MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器解決方案

　　Ramtron的首個(gè)MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器系列結合了最高16-Kb的高性能非易失性F-RAM存儲器和EPC global Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線(xiàn)接口協(xié)議標準，運作頻率為860MHz 至 960MHz。結合優(yōu)化的天線(xiàn)設計，MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以由射頻場(chǎng)感應出的能量來(lái)供電。根據Gen-2標準，MaxArias芯片可接收和處理通過(guò)RFID讀卡器傳輸的指令。

　　產(chǎn)品特性和優(yōu)勢

　　MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器系列首批產(chǎn)品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位，這些器件具有幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數(寫(xiě)入次數大約為1014次)，以及20年的數據保存期。就工作范圍、持續的存儲器訪(fǎng)問(wèn)帶寬及可靠性而言，MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器具有完全對稱(chēng)的讀/寫(xiě)距離，達到Gen-2標準的最大數據速率。

　　Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器具有超越傳統基于 EEPROM的RF ID產(chǎn)品的獨特優(yōu)勢，包括：

• 更高的射頻靈敏度：WM710xx能實(shí)現零功耗寫(xiě)入運作，因而在執行寫(xiě)入時(shí)不會(huì )影響功率或速度。
• 更大的工作范圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器具有10米或更大范圍的對稱(chēng)無(wú)線(xiàn)讀/寫(xiě)功能
• 出色的寫(xiě)入速度：MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器的速度較EEPROM快六倍，能夠實(shí)現整個(gè)存儲區塊的寫(xiě)入運作，更快地存儲更多的數據，免除基于EEPROM 的器件的“預備時(shí)間”(soak time)限制
• 區塊寫(xiě)入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保數據完整性，防止在全區塊寫(xiě)入期間出現數據損壞
• 磁場(chǎng)和伽瑪輻射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁場(chǎng)的影響，并具有高伽瑪輻射耐受能力，MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應用的理想選擇。
• WM710xx MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍運作(-40°C 至+85°C)，并備有幾種配置，包括標準RoHS兼容6腳UDFN封裝、凸塊硅片、裸片，或經(jīng)全面測試的符合ISO-18000-6C標準的電子標簽。