得可DirEKt植球技術(shù)推進(jìn)微型化能力

　　得可進(jìn)一步擴展高速的植球能力，已獲認可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現能以300微米細距精準地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過(guò)良率實(shí)現這一精確性和精密度的能力，DirEKt植球為現代封裝制造提供必需的速度，而無(wú)需在性能方面作出任何犧牲。

　　與其他利用一系列方法進(jìn)行植球不同，DirEKt植球的并行印刷處理帶來(lái)無(wú)與倫比的可重復精度和極快循環(huán)時(shí)間，且與I/O數量完全無(wú)關(guān)。盡管這些統計數據可能是滿(mǎn)足下一代晶圓級CSP設備要求最令人印象深刻并完全保持一致的，得可仍然履行其承諾，繼續提高DirEKt植球能力。

　　作為這個(gè)承諾的一部分，得可這一批量印刷引領(lǐng)者已設計了Galaxy薄晶圓系統，該系統是能滿(mǎn)足薄晶圓加工和精密微型植球要求的高精度印刷設備。系統新設計的晶圓托盤(pán)，平整度小于10微米并能容納300毫米大而厚度只有75微米的晶圓，是推動(dòng)植球工藝至下一代的基礎。

　　“當我們已經(jīng)在大批量生產(chǎn)中實(shí)現300微米間距200微米焊球99.99% 的可重復首次通過(guò)良率，甚至更微型的焊球已經(jīng)能夠在實(shí)驗室環(huán)境下成功地進(jìn)行置放，而我們正繼續開(kāi)發(fā)，以將工藝推向實(shí)際生產(chǎn)線(xiàn)。”得可的半導體和可替代應用經(jīng)理David Foggie說(shuō)：“我們正在積極開(kāi)發(fā)100微米以下的微型植球計劃，而早期獲得的成果是極高的首次通過(guò)良率。”

　　得可的DirEKt植球系統利用兩臺并行的印刷設備，其中第一臺系統使用助焊劑印刷技術(shù)，在每個(gè)互聯(lián)點(diǎn)精密地涂敷助焊劑。而第二臺印刷機Galaxy薄晶圓系統，配備能容納高達一億個(gè)焊球的先進(jìn)封閉焊球轉移頭，接著(zhù)精確地把每個(gè)焊球固定到助焊劑中。受益于Galaxy薄晶圓系統更好的穩定性和安全性，得可的DirEKt植球系統技術(shù)能夠每小時(shí)加工多達45個(gè)晶圓。

　　“高UPH微型植球顯然是推進(jìn)晶圓級CSP制造的具有成本效益的方法。”Foggie說(shuō)：“得可的DirEKt植球系統提供精度、可重復性、設備靈活性和低擁有成本，是提高這一關(guān)鍵封裝技術(shù)必需的的保證。”