彩色濾光片實(shí)現OLED彩色化的瑕疵分析*

　　而尖峰較多的表面會(huì )比一般平整的ITO上制作的器件更容易集中注入空穴，所以表面形態(tài)和OLED器件的漏電流有著(zhù)直接的聯(lián)系。因為ITO表面的粗糙引尖峰會(huì )成為漏電流的途徑。存在的異物等突起，會(huì )使這些部位電流密度增高，漏電流加大，功耗增加，嚴重時(shí)造成局部短路，產(chǎn)生黑點(diǎn)，結果是顯示器的發(fā)光效率降低、壽命縮短，甚至因出現嚴重黑點(diǎn)而報廢。

　　對于ITO的規格比較統一標準是10mm×10mm正方形面積內的AFM測得的平均粗糙度Ra≤1~3nm、Rp-v≤10~30nm。這樣的要求高于普通STN的ITO基板， LCD用CF的ITO表面沒(méi)有提過(guò)如此嚴格的要求，因為其前后電極距離有6000nm之多，幾十nm的Spike(突起)與之相比可以忽略。OLED器件會(huì )由于ITO基板表面的粗糙引起的器件像素區域出現黑點(diǎn)，漏電流過(guò)大，壽命較短等一系列的問(wèn)題。

　　結論

　　對于將CF應用于OLED全彩化顯示的技術(shù)，目前還有很多課題需要解決。如何解決CF表面的粗糙度，以及阻隔ITO層下面的有機層上水氣方面，目前業(yè)內還沒(méi)有滿(mǎn)意的解決方案。以上這些ITO薄膜的粗糙不平屬于納米級別的不平問(wèn)題，灰塵和針孔等缺陷引起的凸凹不平將引起更嚴重的問(wèn)題，屬于微米級別的不平問(wèn)題，所以必須嚴格控制各種灰塵和針眼等缺陷。因此，對于OLED的材料開(kāi)發(fā)也提出了新的課題，同時(shí)也需要對OLED的器件結構的改進(jìn)。

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