未來(lái)推動(dòng)芯片尺寸微縮的五種技術(shù)

　　IC尺寸微縮仍面臨挑戰。

　　為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來(lái)推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。

　　1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對于零低k界面，免去了低k材料，提高驅動(dòng)電流并減少漏電。這是16nm節點(diǎn)的一種選擇。

　　2. 單金屬柵堆疊：與傳統晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結構，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。

　　3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來(lái)設計中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。

　　4. 量子阱MOSFET：在硅上采用硅鍺結構是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場(chǎng)效應晶體管。這種P溝道結構將基于40nm InSb材料。

　　5. 基于通孔硅技術(shù)的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術(shù)的300mm 3D芯片研發(fā)計劃。