Maxim推出850MHz至1550MHz SiGe無(wú)源混頻器

　　Maxim推出業(yè)內性能最佳的完全集成、850MHz至1550MHz SiGe無(wú)源混頻器MAX2051。器件專(zhuān)為多載波電纜前端下行視頻、電纜調制解調器終端系統(CMTS)、視頻點(diǎn)播和DOCSIS®兼容的邊沿QAM調制以及無(wú)線(xiàn)基礎設施等應用而設計，在較寬的50MHz至1000MHz IF頻帶內具有優(yōu)異的線(xiàn)性度和雜散抑制性能。當配置為下變頻器時(shí)，該單個(gè)IC提供35dBm的IIP3、24dBm的IP1dB、7.4dB的轉換損耗和7.8dB的噪聲系數。此外，在整個(gè)50MHz至1000MHz IF頻帶內，器件具有優(yōu)異的2 x 1、2 x 2和3 x 3雜散抑制，典型值分別為88dBc、79dBc和101dBc (輸入電平為-14dBm)。器件極高的線(xiàn)性度和優(yōu)異的雜散抑制性能對于確保電纜前端系統中的50MHz至1000MHz DOCSIS兼容傳輸十分重要。

　　作為上變頻器使用時(shí)，MAX2051具有同樣優(yōu)異的性能：IIP3為33.4dBm、轉換損耗僅為7.5dB、LO ±2IF抑制優(yōu)于61dBc、LO ±3IF抑制優(yōu)于78dBc。器件理想用于點(diǎn)對點(diǎn)和點(diǎn)對多點(diǎn)的微波及固定帶寬無(wú)線(xiàn)接入基站應用，這些應用需要覆蓋850MHz至1550MHz頻帶的一次和二次IF上變頻級。

　　Maxim專(zhuān)有的SiGe工藝使MAX2051在單個(gè)芯片中集成了先進(jìn)的雙平衡混頻器內核以及一個(gè)LO放大器、2個(gè)非平衡變壓器和多個(gè)分立元件。與類(lèi)似的競爭方案相比，MAX2051減少了72%的電路板空間和25%的分立元件數量。器件優(yōu)異的雜散性能還簡(jiǎn)化了相鄰諧波分量的濾波要求，從而使濾波器設計更為簡(jiǎn)單、尺寸更小、性?xún)r(jià)比更高。

　　為實(shí)現混頻器較寬的IF范圍，MAX2051包含了同樣寬范圍的LO緩沖電路，該電路針對1200MHz至2250MHz頻帶的高端LO注入架構進(jìn)行了優(yōu)化。片上0dBm LO驅動(dòng)緩沖器提供±3dB的驅動(dòng)差異控制，從而在整個(gè)溫度、電源和輸入功率范圍內保證了增益、噪聲系數和IIP3性能的穩定性。MAX2051在-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍內具有優(yōu)異的0.01dB/°C增益變化性能。MAX2051提供緊湊的5mm x 5mm、20引腳TQFN無(wú)鉛封裝。