高幅度任意波形/函數發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導體、科學(xué)和工業(yè)應用中的測量
作者：潘威海 泰克公司D&M產(chǎn)品線(xiàn)亞太區市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)理
時(shí)間：2009-03-17
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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圖6 測量電源MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
與時(shí)間相關(guān)需要關(guān)注的參數是起動(dòng)時(shí)延和關(guān)閉時(shí)延及上升時(shí)間和下降時(shí)間。為測量這些參數，應使用來(lái)自信號發(fā)生器輸入的窄脈沖激勵MOSFET的門(mén)，然后使用示波器測量門(mén)電壓和漏電壓(參見(jiàn)圖4)。
通過(guò)使用集成高幅度輸出階段的任意波形/函數發(fā)生器，而不是外部放大器，用戶(hù)可以直接查看MOSFET輸入電路上的有效信號幅度，而不需使用示波器測量幅度。
現在，通過(guò)示波器屏幕顯示的曲線(xiàn)中的光標測量，可以方便地確定起動(dòng)時(shí)延。起動(dòng)時(shí)延是從門(mén)源電壓達到最后值10%時(shí)到漏源電壓下降到初始值90%時(shí)所需的時(shí)間。類(lèi)似的，關(guān)閉時(shí)延是從門(mén)源電壓下降到前一水平90%時(shí)到漏源電壓上升到供電電壓10%時(shí)所需的時(shí)間。為測量漏極信號的上升時(shí)間和下降時(shí)間，現代示波器提供了方便的自動(dòng)化測量功能。
圖7 IGBT電路符號和等效電路。
圖8 IGBT門(mén)驅動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)測試電路。
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