高幅度任意波形/函數發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導體、科學(xué)和工業(yè)應用中的測量
作者：潘威海 泰克公司D&M產(chǎn)品線(xiàn)亞太區市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)理
時(shí)間：2009-03-17
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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圖2 一個(gè)DC馬達驅動(dòng)器中四個(gè)MOSFET的H電橋配置
圖3 MOSFET示意圖和等效電路。
圖2顯示了驅動(dòng)DC馬達的H電橋拓撲中使用的MOSFET實(shí)例。這一配置提供了前向、后向和制動(dòng)功能。
在作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，MOSFET的基本功能是通過(guò)門(mén)信號控制漏電流。在這些應用中，開(kāi)關(guān)時(shí)間是電路設計人員選擇元件時(shí)考慮的一個(gè)重要指標。MOSFET的開(kāi)關(guān)性能取決于通過(guò)內部電容建立電壓變化所需的時(shí)間(參見(jiàn)圖3)。注意，門(mén)源電壓必須先把MOSFET的輸入電容變成特性門(mén)限電平，然后漏電流才能起動(dòng)。
圖4 測量電源MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間的設置。
圖5 AFG3011直接在顯示器上顯示幅度。
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