SanDisk與索尼聯(lián)合開(kāi)發(fā)TB級閃存技術(shù)

　　據存儲在線(xiàn)報道，在近期的CES展會(huì )上，SanDisk與索尼共同宣布了一項計劃，雙方打算聯(lián)合開(kāi)發(fā)兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級以上。

　　這兩款新產(chǎn)品目前被暫時(shí)定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴展目前索尼所用的"Memory Stick PRO"格式，它將是一種大容量存儲格式，數據存儲量最高可達2TB。

　　而"HG Micro"格式則專(zhuān)注于高速數據傳輸技術(shù)，它的傳輸速度可以高達60Mbps，它將是目前傳輸速率最快的小型存儲卡。

　　記憶棒通常會(huì )應用于各種消費電子產(chǎn)品，比如高清數碼相機、數字單反相機以及攝像機等等。如果將閃存記憶棒的容量提升到TB級以上，索尼和SanDisk就可以將它們應用到其他的領(lǐng)域。

　　但是低容量記憶棒仍是當前的主流產(chǎn)品，高容量記憶棒可能還需若干年才能問(wèn)世。 SanDisk發(fā)言人表示，更高容量的驅動(dòng)器不會(huì )在今年問(wèn)世。

　　雖然將NAND閃存的容量一下子從32GB提升到2TB看似有些冒進(jìn)，但是Convergent Semiconductors的首席分析師Bob Merritt表示，NAND的發(fā)展速度實(shí)際上比標準DRAM內存的發(fā)展速度要快一些。

　　他表示："NAND的單元結構的生產(chǎn)工藝比DRAM單元結構的生產(chǎn)工藝要簡(jiǎn)單一些，現在DRAM單元結構的生產(chǎn)工藝還停留在50納米水平，而NAND單元結構的生產(chǎn)工藝已經(jīng)達到30到40納米水平，并正向光刻技術(shù)級邁進(jìn)。從單位比特成本的角度來(lái)說(shuō)，NAND的成本下降速度比標準DRAM要快得多，這樣就推動(dòng)了NAND技術(shù)的更快發(fā)展和應用。"

　　Merritt相信，從長(cháng)遠的角度來(lái)說(shuō)，NAND技術(shù)將走向更高容量等級并進(jìn)入數據中心應用領(lǐng)域。三星和其他許多廠(chǎng)商一直在通過(guò)固態(tài)盤(pán)的方式向這個(gè)方向努力。 Merritt引述IBM學(xué)報的內容稱(chēng)，硬盤(pán)存儲已經(jīng)跟不上半導體的發(fā)展速度，因此非易失性存儲技術(shù)在整個(gè)市場(chǎng)上的份額將越來(lái)越大。

　　雖然閃存固態(tài)盤(pán)技術(shù)有可能成為今年的主流技術(shù)，但是這項技術(shù)今后還需接受更多的實(shí)踐檢驗。

　　Merritt解釋說(shuō)："在占空度有限的情況下，數據中心的內存是無(wú)法滿(mǎn)足需求的。"隨機存儲可以無(wú)限使用，但是NAND閃存的使用時(shí)間是有限的。 他說(shuō)："因此業(yè)內從未給OEM定義過(guò)要求。因此這個(gè)問(wèn)題看起來(lái)才會(huì )比實(shí)際上更為嚴重。 OEM廠(chǎng)商們并不能確定它對支持客戶(hù)有什么意義。"

　　這對于它們來(lái)說(shuō)是個(gè)壞消息。如果客戶(hù)在臨界任務(wù)環(huán)境下使用固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品，那么OEM廠(chǎng)商就會(huì )因為銷(xiāo)售不成熟產(chǎn)品而遭到指責或起訴，內存廠(chǎng)商也會(huì )因那些產(chǎn)品而遭到指責或起訴。

　　Merritt表示："閃存硬盤(pán)的問(wèn)題在于用戶(hù)可以擦除單個(gè)單元中的數據的次數。這個(gè)領(lǐng)域需要解決的問(wèn)題很多，但是如果我們說(shuō)的是更換巨大的硬盤(pán)驅動(dòng)器，那么半導體行業(yè)面臨的問(wèn)題就主要是一個(gè)驅動(dòng)器可以擦除和復寫(xiě)數據的次數。"