中芯計劃明年投產(chǎn)45和40納米芯片
10月6日消息,中國芯片制造商中芯國際公布了該公司的生產(chǎn)工藝計劃。中芯國際計劃明年投產(chǎn)45和40納米工藝的芯片。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/88439.htm據國外媒體報道稱(chēng),中芯國際還希望2011年投產(chǎn)32納米工藝的芯片,并表示該公司正在與IBM談判有關(guān)許可32納米工藝的事宜。中芯國際沒(méi)有詳細披露生產(chǎn)工藝計劃。
在65納米工藝之前,中芯國際都是自己開(kāi)發(fā)生產(chǎn)工藝,中芯國際去年末從IBM許可了45納米工藝。
中芯國際在各代生產(chǎn)工藝方面都稍微落后與主要競爭對手——特許半導體、臺積電和臺聯(lián)電。例如,IBM芯片聯(lián)盟成員——特許半導體和三星計劃明年底發(fā)售32納米芯片。IBM的32納米工藝采用了高K和金屬柵極技術(shù)。
中芯國際稱(chēng)對該公司目前的市場(chǎng)形勢感到滿(mǎn)意,并表示該公司在生產(chǎn)工藝方面是個(gè)“快速追隨者”。華登國際創(chuàng )投集團創(chuàng )始人、董事長(cháng)Lip-Bu Tan本周五在“2008年中芯國際技術(shù)研討會(huì )”上發(fā)言時(shí)表示,由于成本更高,65納米和45納米工藝的壽命將比以前的工藝更長(cháng)。
中芯國際并沒(méi)有停滯不前。中芯國際美國公司總裁薩姆·王在這次會(huì )議上表示,“我們在生產(chǎn)工藝方面比競爭對手落后一代,但我們正在追趕上來(lái)。”
另外,中芯國際還在逐步退出DRAM芯片業(yè)務(wù)。
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