ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅動(dòng)能效

　　意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。

　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線(xiàn)帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線(xiàn)源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時(shí)，封裝的額定功率為300W。

　　新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設計多個(gè)并聯(lián)的MOSFET，達到節省電路板空間和材料成本的目的。標準驅動(dòng)閾壓還有助于簡(jiǎn)化驅動(dòng)電路的設計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設備。

　　高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設備，如叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)以及割草機、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過(guò)100%的雪崩測試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達到汽車(chē)級產(chǎn)品質(zhì)量標準。

　　在同一個(gè)產(chǎn)品系列，ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續電流為200A，源極連線(xiàn)配置為4線(xiàn)。

　　STV250N55F3樣片即刻上市銷(xiāo)售，預計2008年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。