ST128兆 NAND閃存芯片轉向90納米制造技術(shù)

NAND128小頁(yè)閃存是唯一的一個(gè)采用90納米制造工藝的128兆位 NAND 閃存，
能夠提高消費電子設備制造商的成本效益

本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/8557.htm
意法半導體今天宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產(chǎn)轉向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗，這些設備包括數碼相機、語(yǔ)音筆、PDA、機頂盒（STB）、打印機和捆綁式閃存卡。ST的NAND128是當今市場(chǎng)上僅有的一個(gè)采用90nm 制造工藝的128-Mbit NAND 閃存。
新產(chǎn)品證明了ST繼續開(kāi)發(fā)低密度“小頁(yè)”NAND閃存產(chǎn)品的承諾，以支持正在使用目前已量產(chǎn)的該系列產(chǎn)品的用戶(hù)。NAND128W3A2BN6E 是一個(gè)采用TSOP封裝的3V產(chǎn)品，以消費電子產(chǎn)品為目標應用。另兩款產(chǎn)品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存（均有3V 和1.8V兩個(gè)版本）也將在今后幾個(gè)月內過(guò)渡到90納米制造工藝。
NAND128具有超高速的數據吞吐量和擦寫(xiě)能力，該系列產(chǎn)品的地址線(xiàn)路和數據輸入/輸出信號都通過(guò)一個(gè)8位總線(xiàn)多路傳輸，從而降低了芯片的引腳數量，并允許使用一個(gè)模塊化的NAND接口，使設備制造商無(wú)需改變芯片占板空間就可制造使用更高（或更低）密度的改進(jìn)系統。
ST提供的軟件工具套件支持快速的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，能夠延長(cháng)存儲器芯片的使用壽命。工具包括糾錯代碼（ECC）軟件、壞塊管理（BBM）、平均讀寫(xiě)算法、文件系統OS本機參考軟件和硬件仿真模型。壞塊管理能夠發(fā)現并更換一個(gè)讀寫(xiě)失敗的區塊，將數據復制到一個(gè)有效的區塊內；平均讀寫(xiě)算法通過(guò)在所有的區塊上分配擦寫(xiě)操作實(shí)現優(yōu)化器件的老化問(wèn)題。
新的閃存芯片由1024個(gè)標稱(chēng)16字節的區塊組成，每個(gè)區塊又分成512字節的頁(yè)面，每頁(yè)還有16個(gè)備用字節，同時(shí)每個(gè)頁(yè)面均可執行讀取與編程操作。備用字節用于糾錯、軟件卷標或壞塊識別。備份編程（Copy Back Program）模式能給儲存在某一個(gè)頁(yè)面的數據編程，然后將編程數據直接轉存到另一個(gè)頁(yè)面上，而無(wú)需額外的緩存。當頁(yè)面編程操作因一個(gè)損壞區塊而失敗時(shí)，這個(gè)功能特別有用。新器件還提供區塊擦除指令，擦除一個(gè)區塊的時(shí)間僅需2ms。每個(gè)區塊的耐擦寫(xiě)能力為100,000次，數據保存期限為10年。
新器件還包含"無(wú)需介意芯片激活"功能，可簡(jiǎn)化微控制器的接口設計，同時(shí)能簡(jiǎn)化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內存的整合過(guò)程。另外，制造商在器件出廠(chǎng)前可以設定一個(gè)唯一的器件ID序列號，用戶(hù)利用一個(gè)用戶(hù)可編程序列號可以提高目標應用的安全功能。
NAND128W3A2BN6E 已開(kāi)始量產(chǎn)，價(jià)格區間在4美元到4.5美元之間，封裝為T(mén)SOP48無(wú)鉛封裝，工作溫度范圍-40 到 +85攝氏度。