恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專(zhuān)為高功耗和Doherty放大器應用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長(cháng)了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì )期間進(jìn)行展示。

　　恩智浦RF功率產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)部門(mén)經(jīng)理Mark Murphy表示：“隨著(zhù)移動(dòng)電信運營(yíng)商開(kāi)始提供基于HSDPA和LTE等技術(shù)的超高速服務(wù)，無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )基礎設施的功率需求也已達到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術(shù)，推出業(yè)界性能最高的LDMOS基站晶體管，其功率增加效率遠高于目前市場(chǎng)上的任何產(chǎn)品。” 

　　第七代LDMOS的性能創(chuàng )下新的紀錄，達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實(shí)現寬頻輸出匹配，從而設計出更加簡(jiǎn)單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經(jīng)成為新型基站發(fā)射器的首選放大器架構，幫助無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商提高效率并降低成本。

　　ABI Research射頻（RF）元件與系統研究總監Lance Wilson表示：“隨著(zhù)數據驅動(dòng)型服務(wù)逐漸成為無(wú)線(xiàn)基礎設施的更重要的組成部分，一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)，憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進(jìn)步，理當成為公司進(jìn)入相關(guān)應用頂級設備市場(chǎng)時(shí)的重要資產(chǎn)。”

　　供貨

　　恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號在MTT-S國際微波研討會(huì )的第523號展位進(jìn)行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將于2008年第三季度問(wèn)世?；诙髦瞧值谄叽鶯DMOS技術(shù)的其他產(chǎn)品將于2009年推出。