富士電機--產(chǎn)品簡(jiǎn)介

                  

隨著(zhù)功率器件對小尺寸、大容量和低噪音的要求，IGBT已成為電源變換器的新一代核心功率器件。富士電機電子技術(shù)公司始終專(zhuān)注于IGBT模塊的開(kāi)發(fā)，不斷支持新技術(shù)，目標是開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)單易用且最終可實(shí)現低損耗和低EMI噪音的IGBT模塊。

 

富士電機推出的第五代IGBT模塊通過(guò)完善的設計降低了損耗，并實(shí)現了較高的環(huán)保效益。更重要的是，產(chǎn)品的功率周期壽命獲得大大提升，從而成功贏(yíng)得客戶(hù)的信賴(lài)。該系列產(chǎn)品備有多種容量規格供選擇，包括600V/30A～600A、1200V/25A～3600A和1700V/100A～3600A，適用于各種用途的電源變換裝置，如通用變頻器、伺服機、不間斷電源裝置(UPS)、風(fēng)力發(fā)電裝置和太陽(yáng)能發(fā)電裝置等。由于采用了溝槽結構和FS(Field Stop)結構，芯片的損耗較之前的產(chǎn)品降低了20%。而通過(guò)采用高強度無(wú)鉛焊料(芯片和DBC板之間)，功率周期壽命可提升10倍(與之前的產(chǎn)品比較)。

 

富士電機的U2系列IPM(1200V)采用一體觸發(fā)式驅動(dòng)IC，省去了許多其它的零部件。這種智能模塊采用的是第五代IGBT芯片，可以有效控制成本，并獲得最高的效率。它可以降低16～20%的損耗，這是因為采用了FS結構的IGBT芯片。同時(shí)具有豐富的保護功能，如過(guò)電流保護、短路電流保護、結溫過(guò)熱保護、殼溫過(guò)熱保護及驅動(dòng)電源不足電壓保護。通過(guò)觸發(fā)式驅動(dòng)電路來(lái)降低EMI噪音(和R-IPM類(lèi)似)。這款產(chǎn)品適用于通用變頻器和伺服機等。

 

最新推出的第6代IGBT模塊“V系列”十分簡(jiǎn)單易用，可以稱(chēng)得上是完全平衡的IGBT模塊。它具有低損耗、環(huán)保、高可靠性和低噪音的特性，而且采用散熱良好的封裝，額定電流可達到相同尺寸封裝的2倍。與第5代IGBT比較，由于IGBT芯片具有改良的溝槽結構和FS結構，該產(chǎn)品降低了10%的損耗。此外，新型的門(mén)極結構可減少-20dB EMI噪音，因為這種結構能夠改善開(kāi)關(guān)速度控制性能。

 

在開(kāi)發(fā)MOSFET產(chǎn)品方面，富士電機也取得了豐碩的成果。最新的MOSFET系列Super FAP-E3采用平面型(Planar)結構。Super FAP-E3系列具有業(yè)界最高級別的低導通阻抗特性，改善了原有產(chǎn)品在開(kāi)關(guān)損耗與電磁噪音之間的矛盾，可以同時(shí)實(shí)現較低的EMI噪音、易用性以及環(huán)保特性。該系列產(chǎn)品采用第二代QPJ結構，與競爭廠(chǎng)商最新推出的平面型功率MOSFET相比，它的導通阻抗降低了12～17%。相比其它新型器件是一種低損耗、低噪音、易于使用和易于設計的環(huán)保型功率產(chǎn)品。

 

M-綜合功率器件(M-Power2)是電源IC的首選，這是一種專(zhuān)用的電源IC，采用了富士電機的專(zhuān)有設計，適用于復合發(fā)振型電流共振回路方式的電路。M-Power2可提供高效率、低噪音的電源，并且可工作在待機模式下(無(wú)需輔助電源)，從而可降低系統成本。M-Power2的高效率使得減小開(kāi)關(guān)電源的尺寸成為可能。在處理EMI噪音方面，MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程使用了零電壓+零電流開(kāi)通，以及零電壓關(guān)斷，這種軟開(kāi)關(guān)對改善EMI噪音有很大的幫助；此外，次級二極管在逆向恢復時(shí)不出現浪涌電壓。其它特性還包括多項保護功能、簡(jiǎn)化設計等。該產(chǎn)品非常適合用于液晶顯示電視機的開(kāi)關(guān)電源，并可廣泛用于許多應用中。

 

富士電機的二極管產(chǎn)品的發(fā)展也一直沿著(zhù)富士“低損耗低輻射更小型更環(huán)保”的方向，其高壓SBD具有低正向壓降和軟恢復特性，有利于降低EMI干擾和簡(jiǎn)化線(xiàn)路，封裝更小型化，有利于減小系統體積，廣泛應用于液晶電視，電腦等產(chǎn)品中；專(zhuān)用于PFC的整流管，有針對性的設計提供高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品， 包括用于較大功率CCM具有超快恢復特性的LLD1系列，和用于中小功率DCM具有更低正向壓降的LLD2系列，最新的LLD3系列進(jìn)一步平衡了正向壓降和快恢復特性，使得EMI干擾更小，功率損耗更低，將更廣泛的應用于需要PFC的民用電器中。

 

富士電機的電源IC產(chǎn)品系列豐富，各具特點(diǎn)，可滿(mǎn)足客戶(hù)的不同應用的需求。

例如，AC-DC Converter IC FA5528，低負載時(shí)通過(guò)降低PWM頻率,實(shí)現無(wú)負載時(shí)較小的輸出容量且輸入功率為0.2W。Vcc額定為28V，允許輔助線(xiàn)圈上不使用串聯(lián)調節器。MOSFET的漏電流極限為0.5V，比一般IC效率提高0.5%。FA5526/27/28在滿(mǎn)載時(shí)的頻率可達到130k/100k/60kHZ，具有過(guò)電流保護功能(自動(dòng)恢復)。

FA5540，內置500V啟動(dòng)元件，通過(guò)低頻操作，實(shí)現無(wú)負載時(shí)輸入功率為0.1W，VCC不低于欠壓鎖定（UVLO），啟動(dòng)時(shí)間只需0.2秒。通過(guò)低負載時(shí)的間歇性開(kāi)關(guān)，實(shí)現低待機功率。最大頻率可達到65kHZ~130kHZ，具有過(guò)載保護功能(自動(dòng)重啟，Timer-Latched)。