Hittite Microwave發(fā)布兩款無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器

　　Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電、WiMAX基礎設施、測試裝置和軍事應用的無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器。

　　HMC620LC4是一個(gè)可在3～7GHz頻率范圍內提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩定輸入IP3性能的無(wú)源I/Q混頻器/IRM。這個(gè)經(jīng)過(guò)精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時(shí)將變頻損耗限制在標稱(chēng)值8dB。HMC620是一個(gè)工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC～3.5GHz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。

　　HMC620LC4采用符合RoHS指令的4