帶有鐵電隨機存取存儲器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘所具備的優(yōu)勢

　　1 概述

　　隨著(zhù)DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無(wú)需電池的非易失存儲器。這些器件采用鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術(shù)，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫(xiě)操作與RAM類(lèi)似。該系列器件能夠可靠地將數據保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲器不同的是：它不需要考慮系統復雜性、過(guò)度開(kāi)銷(xiāo)以及可靠性等問(wèn)題。從1992年出現第一塊FRAM至今，鐵電隨機存取存儲技術(shù)已趨于成熟。

　　2 非易失存儲器

　　目前，非易失存儲技術(shù)主要有3種：電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。FRAM的速度類(lèi)似于傳統SRAM;FRAM的操作類(lèi)似于串行EEPROM，主要區別是FRAM具有更好的寫(xiě)操作特性和耐用性，能以I2C的速度對存儲器進(jìn)行讀寫(xiě)操作。在寫(xiě)操作時(shí)，無(wú)需輪詢(xún)器件確認就緒條件。表1給出了非易失存儲技術(shù)的評定，評定等級1(最好)至4(最差)。

　　3 FRAM相對于EEPROM的優(yōu)勢

　　同等容量的EEPROM相比較，FRAM具有諸多優(yōu)勢：第一個(gè)優(yōu)勢是FRAM能夠以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作，且數據開(kāi)始傳輸后沒(méi)有任何寫(xiě)延時(shí)。另外，FRAM不采用頁(yè)面寫(xiě)操作方式，用戶(hù)可以簡(jiǎn)便地連續寫(xiě)入數據。數據傳輸時(shí)沒(méi)有尺寸限制，無(wú)延時(shí)。必要時(shí)，系統可以采用突發(fā)模式對整個(gè)存儲器陣列進(jìn)行寫(xiě)操作。

　　第二個(gè)優(yōu)勢是寫(xiě)操作耐久性，寫(xiě)次數高達100億次。多數EEPROM的只寫(xiě)次數只能達到100萬(wàn)次。實(shí)際上可以認為FRAM沒(méi)有寫(xiě)次數的限制，非常適用于數據采集。

　　第三個(gè)優(yōu)勢是微功耗，有助于節省電能。FRAM采用鐵電存儲機制，可通過(guò)本地VCC支持寫(xiě)操作，EEPROM則只需一個(gè)電荷泵或升壓電路?？梢?jiàn)，FRAM電流消耗遠遠低于類(lèi)似配置的EEPROM。

　　4 DS32X35帶有FRAM的高精度RTC

　　4.1 DS32X35簡(jiǎn)介和內部結構

　　DS32X35是一款溫補時(shí)鐘/日歷器件，單個(gè)封裝內集成了32.768 kHz晶體和非易失存儲器。非易失存儲器采用兩種配置：2 048