DRAM十月價(jià)格持續下跌；ETT現貨價(jià)急漲12%

　　上周(10/15-10/22)現貨市場(chǎng)eTT顆粒呈現近幾周少見(jiàn)的急漲局面，DDR2512MbeTT價(jià)格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現平穩走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉進(jìn)，供給量減少，部份買(mǎi)主逢低買(mǎi)進(jìn)拉抬買(mǎi)氣，進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格上揚，因此這波價(jià)格上揚主要是短期市場(chǎng)操作結果，而非市場(chǎng)終端需求帶動(dòng);此外，這波投機性買(mǎi)盤(pán)主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒(méi)有帶動(dòng)品牌顆粒價(jià)格同步上漲。集邦科技預測，接下來(lái)幾周DDR2eTT的供給將會(huì )大量開(kāi)出，屆時(shí)DDR2eTT也會(huì )再回探1美元。

　　十月是PC出貨旺季，也是戴爾(DELL)及惠普(HP)的年底結帳月，兩家系統大廠(chǎng)皆希望將零組件庫存降低，尤其是價(jià)格持續下滑的DRAM。十月上旬DDR2UDIMM/SODIMM模塊合約價(jià)已經(jīng)下降20%，仍難以刺激合約市場(chǎng)的買(mǎi)氣，導致十月下旬合約價(jià)繼續下跌10%。在合約價(jià)持續走低的情況下，的確能刺激DRAM搭載率的提升，尤其在消費型筆記型計算機中，2GB比率已接近60%;若未來(lái)DRAM價(jià)格持續下降，年底將有機會(huì )增加至70%-80%。

　　以DRAM廠(chǎng)的成本分析來(lái)說(shuō)，目前70nm制程轉進(jìn)領(lǐng)先的爾必達(Elpida)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)僅約20%產(chǎn)出在70nm1Gb，即使未來(lái)在70nm良率高又產(chǎn)能滿(mǎn)載的情況下，1Gb顆粒的總成本(含折舊、封測)最低也要2.7-3.0美元;而512Mb顆粒價(jià)格為1.7-1.9美元。集邦科技觀(guān)察，2008年12吋的產(chǎn)能擴張已趨減緩，加上8吋去化的產(chǎn)能，DRAM2008年的供給位成長(cháng)率將由今年的93%大幅下降至近50%;然而在DRAM需求方面，由于今年底消費型筆記型與桌上型計算機2GB的搭載率將高達七成及六成以上，明年需求成長(cháng)力道將轉向商務(wù)型筆記型計算機。